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Excellente couche diélectrique de plus haute d'uniformité gaufrette thermique d'oxyde comme isolateur
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Les spécifications
Number modèle :
Milliseconde
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
1 morceau
Conditions de paiement :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
10000 morceaux par mois
Délai de livraison :
3 jours ouvrables
Détails de empaquetage :
Boîte en bois forte pour l'expédition globale
Application :
circuits intégrés, dispositif de détecteur/capteur, fabrication de MEMS, composants optoélectronique
Diamètre :
Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"/Ø 6"/Ø 8"/Ø 12"
Épaisseur d'oxyde :
100 A | 6 um
Catégorie :
Principal/essai/catégorie factice
Définition

 

Gaufrette thermique d'oxyde, uniformité plus élevée, et résistance diélectrique plus élevée, excellente couche diélectrique comme isolateur

 

La couche thermique d'oxyde ou de silice est formée sur la surface nue de silicium à la température élevée en présence d'un oxydant, le processus s'appelle l'oxydation thermique. L'oxyde thermique est normalement développé dans un four de tube horizontal, à la température ambiante de 900°C | 1200°C, suivre une méthode « humide » ou « sèche » de croissance. L'oxyde thermique est un genre de couche « développée » d'oxyde, comparé à la CVD a déposé la couche d'oxyde, elle a une uniformité plus élevée, et une résistance diélectrique plus élevée, c'est une excellente couche diélectrique comme isolateur. En la plupart de silicium a basé des dispositifs, la couche thermique d'oxyde jouent un rôle important pour apaiser la surface de silicium pour agir en tant qu'enduire des barrières et en tant que diélectriques extérieurs. nous fournit la gaufrette thermique d'oxyde de diamètre de 2" à 12", nous choisissons toujours la catégorie principale et la gaufrette de silicium sans défaut comme substrat pour élever la couche thermique d'oxyde d'uniformité élevée pour répondre à vos exigences spécifiques. Contactez-nous pour plus d'informations sur le prix et le délai de livraison.

 

Capacité thermique d'oxyde

Typiquement après le processus thermique d'oxydation, la partie antérieure et l'arrière de la gaufrette de silicium ont la couche d'oxyde. Au cas où seulement une couche latérale d'oxyde serait exigée, nous pouvons enlever de retour la gaufrette thermique d'oxyde et d'oxyde de côté de l'offre une pour vous.
 

Gamme d'épaisseur d'oxyde Technique d'oxydation Dans la gaufrette
uniformité		 Gaufrette à la gaufrette
uniformité		 Surface traitée
100 Å | 500Å oxyde sec +/- 5% +/- 10% les deux côtés
600 Å | 1000Å oxyde sec +/- 5% +/- 10% les deux côtés
100 nanomètre | 300 nanomètre oxyde humide +/- 5% +/- 10% les deux côtés
400 nanomètre | 1000 nanomètre oxyde humide +/- 3% +/- 5% les deux côtés
1 um | 2 um oxyde humide +/- 3% +/- 5% les deux côtés
3 um | 4 um oxyde humide +/- 3% +/- 5% les deux côtés
5 um | 6 um oxyde humide +/- 3% +/- 5% les deux côtés

Application thermique de gaufrette d'oxyde

 

100 A Portes de perçage d'un tunnel
150 A | 500 A Oxydes de porte
200 A | 500 A Oxyde de protection de LOCOS
A 2000 | 5000 A Oxydes de masquage
3000 A | 10000 A Oxydes de champ

 

Spécifications produit

 
Technique de Qxidation Oxydation humide ou oxydation sèche
Diamètre Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"/Ø 6"/Ø 8"/Ø 12"
Épaisseur d'oxyde 100 A | 6 um
Tolérance +/- 5%
Surface Seule couche latérale ou double d'oxyde de côtés
Four Four de tube horizontal
Gase Gaz d'hydrogène et de l'oxygène
La température ° DE 900 C - ° 1200 DE C
Indice de réfraction 1,456

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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 Années
henan, zhengzhou
Depuis 2007
Type d'entreprise :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Importer, Exporter
Produits principaux :
Éléments de chauffe sic, Éléments de chauffe Mosi2, Pièces en céramique industrielles
Total annuel :
5000000-8000000
Nombre de salariés :
50~100
Niveau de certification :
Active Member
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