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2um - silicium en céramique technique des pièces 300um sur l'isolateur SOI Wafer
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Les spécifications
Number modèle :
Milliseconde
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
1 morceau
Conditions de paiement :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
10000 morceaux par mois
Délai de livraison :
3 jours ouvrables
Détails de empaquetage :
Boîte en bois forte pour l'expédition globale
Application :
circuits intégrés, dispositif de détecteur/capteur, fabrication de MEMS, composants optoélectronique
Diamètre :
Ø 4"/Ø 6"/Ø 8"
Épaisseur de dispositif :
2 um | 300 um
Revêtement :
L'oxyde et la nitrure peuvent être fournis des deux côtés de la gaufrette de SOI
Définition

 

SOI Wafer (Silicium-sur-isolateur)

 

Nous fournit la gaufrette de haute qualité de SOI (Silicium-sur-isolateur) pour un grand choix d'application fabrication comprenant MEMS, dispositif de puissance, capteurs de pression et de CMOS circuit intégré. La gaufrette de SOI fournissent une solution potentielle pour le dispositif de consommation de grande vitesse et de puissance faible et ont été largement reconnues comme nouvelle solution pour la haute tension et les composants de rf. La gaufrette de SOI est une structure de sandwich comprenant une couche de dispositif (couche active) sur le dessus, une couche enterrée d'oxyde (couche SiO2 isolante) au milieu, et une gaufrette de poignée (silicium en vrac) au fond. Des gaufrettes de SOI sont produites à l'aide de SIMOX et de technologie de collage de gaufrette pour réaliser le diluant et la couche précise de dispositif et pour assurer la condition de l'uniformité d'épaisseur et de la basse densité de défaut. Nous pouvons fournir à la gaufrette de SOI de diamètre 4" et 8" l'épaisseur flexible et le grand choix de résistivité pour répondre à vos exigences uniques de SOI. Contactez-nous pour d'autres informations produit de SOI.

 

SOI Wafer Application

 

 

IC ultra-rapides IC à hautes températures
IC de basse puissance IC de basse tension
Composants de micro-onde Dispositif de puissance
MEMS Semi-conducteur

 

Spécifications produit

 
Méthode Liaison de fusion
Diamètre Ø 4"/Ø 6"/Ø 8"
Épaisseur de dispositif 2 um | 300 um
Tolérance +/- 0,5 um | 2 um
Orientation <100>/<111>/<110> ou d'autres
Conductivité P - type/N - type/qualité intrinsèque
Dopant Bore/phosphoreux/antimoine/arsenic
Résistivité 0,001 | 100000 ohm-cm
Épaisseur d'oxyde 500A | 4 um
Tolérance +/- 5%
Gaufrette de poignée >= 300 um
Surface Les doubles côtés ont poli
Revêtement L'oxyde et la nitrure peuvent être fournis des deux côtés de la gaufrette de SOI
 

 

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La Chine
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1 morceau
Conditions de paiement :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
10000 morceaux par mois
Délai de livraison :
3 jours ouvrables
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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 Années
henan, zhengzhou
Depuis 2007
Type d'entreprise :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Importer, Exporter
Produits principaux :
Éléments de chauffe sic, Éléments de chauffe Mosi2, Pièces en céramique industrielles
Total annuel :
5000000-8000000
Nombre de salariés :
50~100
Niveau de certification :
Active Member
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