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500Um à 625Um GaAs a basé la catégorie mécanique de catégorie polie par gaufrette d'Epi
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Les spécifications
Number modèle :
Milliseconde
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
1 morceau
Conditions de paiement :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
10000 morceaux par mois
Délai de livraison :
3 jours ouvrables
Détails de empaquetage :
Boîte en bois forte pour l'expédition globale
Application :
la microélectronique, optoélectronique et micro-onde de rf
Diamètre :
Ø 3"/Ø 4" gaufrette de GaAs
Épaisseur :
500 um | 625 um
Catégorie :
Epi a poli la catégorie/catégorie mécanique
Définition

 

 

La GaAs a basé la gaufrette d'Epi

 

Nous fournit la croissance épitaxiale de MBE/MOCVD de la structure faite sur commande sur le substrat de GaAs pour la microélectronique, optoélectronique et applications de micro-onde de rf, de diamètre Ø 3" à Ø 4". Avec notre expérience étendue de MOCVD, nous pouvons élever l'alliage binaire (Lt-GaAs, hélas) ou l'alliage ternaire (AlGaAs, InGaAs, GaAsP, InGaP) sur le substrat de GaAs, des structures de super-réseau de couche de singel ou de multiple-couche avec la qualité cristalline supérieure pour répondre à un grand choix de besoins de dispositif. Nos experts fortement qualifiés peuvent travailler avec vous pour concevoir et optimiser votre structure de couche d'epi de GaAs. Veuillez nous contacter pour plus d'information produit ou discutez votre structure de couche d'epi.

La GaAs a basé la capacité de gaufrette d'Epi

Nos réacteurs sont configurés pour un grand choix de systèmes matériels et de conditions de traitement. Nous pouvons fournir l'épitaxie faite sur commande pour un grand choix d'applications de dispositif s'étendant de la LED aux HEMTs.
 

Capacité matérielle Substrat Taille de gaufrette
GaAs/GaAs Gaufrette de GaAs Jusqu'à 4 pouces
Lt-GaAs/GaAs Gaufrette de GaAs Jusqu'à 4 pouces
Hélas/GaAs Gaufrette de GaAs Jusqu'à 4 pouces
InAs/GaAs Gaufrette de GaAs Jusqu'à 4 pouces
AlGaAs/GaAs Gaufrette de GaAs Jusqu'à 4 pouces
InGaAs/GaAs Gaufrette de GaAs Jusqu'à 4 pouces
InGaP/GaAs Gaufrette de GaAs Jusqu'à 4 pouces
GaAsP/GaAs Gaufrette de GaAs Jusqu'à 4 pouces

 

Applications optoélectroniques :

Détecteurs photoélectriques, VCSELs, diodes lasers, LED, SOAs, guides d'ondes.

Applications électroniques :

FETs, HBTs, HEMTs, diodes, dispositifs à micro-ondes.

 

 

Structure de couche d'Epi (HEMT/HBT)

 
Croissance MOCVD
Source de dopant Le type de P/soit, le type de N/SI
Couche de chapeau Couche je-GaAs
Couche active couche de n-AlGaAs
Couche de l'espace couche d'i-AlGaAs
Couche de tampon Couche je-GaAs
Substrat Ø 3"/Ø 4" gaufrette de GaAs

 

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1 morceau
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10000 morceaux par mois
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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 Années
henan, zhengzhou
Depuis 2007
Type d'entreprise :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Importer, Exporter
Produits principaux :
Éléments de chauffe sic, Éléments de chauffe Mosi2, Pièces en céramique industrielles
Total annuel :
5000000-8000000
Nombre de salariés :
50~100
Niveau de certification :
Active Member
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