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Phosphure d'indium en céramique technique de gaufrette d'INP de pièces de catégorie mécanique
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Phosphure d'indium en céramique technique de gaufrette d'INP de pièces de catégorie mécanique
Les spécifications
Number modèle :
Milliseconde
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
1 morceau
Conditions de paiement :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
10000 morceaux par mois
Délai de livraison :
3 jours ouvrables
Détails de empaquetage :
Boîte en bois forte pour l'expédition globale
Application :
LED rouges, jaunes, et vertes (diodes électroluminescentes)
Diamètre :
Ø 2"/Ø 3"
Épaisseur :
500 um | 625 um
Catégorie :
Epi a poli la catégorie/catégorie mécanique
Définition

 

Gaufrette d'INP (phosphure d'indium)

 

Nous fournit la gaufrette de haute qualité d'INP de monocristal (phosphure d'indium) à l'industrie microélectronique (HEMT de HBT/) et optoélectronique (LED/DWDM/PIN/VCSELs) de diamètre jusqu'à 3 pouces. Le cristal du phosphure d'indium (INP) est constitué par deux éléments, indiums et phosphures, croissance par la méthode encapsulée liquide de Czochralski (LEC) ou la méthode de VGF. La gaufrette d'INP est un matériel important de semi-conducteur qui ont des propriétés électriques et thermiques supérieures, comparé à la gaufrette de silicium et la gaufrette de GaAs, gaufrette d'INP a une mobilité des électrons plus élevée, une plus haute fréquence, une consommation de puissance faible, une conduction thermique plus élevée et une interprétation à faible bruit. Nous pouvons fournir la gaufrette prête d'INP de catégorie d'epi pour votre application épitaxiale de MOCVD et de MBE. Veuillez nous contacter pour plus d'information produit.

 

Gaufrette composée d'III-V

Nous fournit un large éventail de gaufrette composée comprenant la gaufrette de GaAs, la gaufrette de Gap, la gaufrette de GaSb, la gaufrette d'InAs, et la gaufrette d'INP.

 

Élém. élect. et enduisant des spécifications

Dopant disponible S / Zn/Fe/non dopé
Type de conductivité N / P, semi-conducteur/semi-isolant
Concentration 1E6 - 8E18 cm-3
Mobilité >1000 cm2/v.s.

Spécifications produit

Croissance LEC/VGF
Diamètre Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"
Épaisseur 350 um | 625 um
Orientation <100>/<111>/<110> ou d'autres
Outre de l'orientation Outre de 2° à 10°
Surface Un côté a poli ou deux côtés polis
Options plates EJ ou SEMI. Norme.
TTV <= 10 um
Arc/chaîne <= 20 um
Catégorie Epi a poli la catégorie/catégorie mécanique
Paquet Conteneur simple de gaufrette
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Détails du produit
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Milliseconde
Point d'origine :
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MOQ :
1 morceau
Conditions de paiement :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
10000 morceaux par mois
Délai de livraison :
3 jours ouvrables
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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 Années
henan, zhengzhou
Depuis 2007
Type d'entreprise :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Importer, Exporter
Produits principaux :
Éléments de chauffe sic, Éléments de chauffe Mosi2, Pièces en céramique industrielles
Total annuel :
5000000-8000000
Nombre de salariés :
50~100
Niveau de certification :
Active Member
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