Les spécifications
Lieu d'origine :
Henan, Chine
Quantité minimale de commande :
Une seule pièce
Capacité à fournir :
50000 morceaux par mois
Délai de livraison :
7 à 10 jours
Détails de l'emballage :
Forfait standard pour l'exportation
Définition

Plateau de gravure Les consommables semi-conducteurs

 

Principales caractéristiques

Le plateau de gravure est fabriqué en céramique de carbure de silicium sintré de haute pureté sans pression. Il présente les caractéristiques de haute dureté, résistance à la corrosion, résistance à l'usure, longue durée de vie,haute précision et bonne homogénéité de gravure de la couche d'épitaxie de la gaufre.

 

Application du projet

Le procédé de gravure ICP de matériaux à film épitaxial ((GaN, SiO 2, etc.) pour les puces de gaufres LED, les pièces céramiques de précision pour la diffusion des semi-conducteurs et le procédé d'épitaxie MOCVD pour les gaufres semi-conducteurs.

 

Les spécifications:

L'écart de diamètre est de 50 à 500 mm. L'épaisseur est de 3 à 20 mm. Des spécifications sur mesure sont disponibles.

 

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Plateau de gravure Consommables de semi-conducteurs en céramique au carbure de silicium sintré

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Lieu d'origine :
Henan, Chine
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Une seule pièce
Capacité à fournir :
50000 morceaux par mois
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Forfait standard pour l'exportation
Fournisseur de contact
Plateau de gravure Consommables de semi-conducteurs en céramique au carbure de silicium sintré

China Abrasives Industry Hainan Corporation

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3 Années
hainan, hainan
Depuis 1988
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100~200
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