Les spécifications
Number modèle :
BSC010NE2LSI
Point d'origine :
La Malaisie
MOQ :
1pieces
Conditions de paiement :
T/T, Western Union
Capacité d'approvisionnement :
5000pcs
Délai de livraison :
5 jours ouvrables
Détails de empaquetage :
Bobine
Application :
Chargeur embarqué Carte mère Ordinateur portable DC-DC VRD/VRM LED Contrôle moteur
Détails :
MOSFET de puissance canal N BSC010NE2LSI OptiMOS 25 V
Nom de produits :
Circuits intégrés (IC)
Catégorie :
composants électroniques
Famille d'IC :
Produits semi-conducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Unique
L'autre nom :
BSC010
Paquet :
TDSON8
Statut sans plomb :
RoHS conforme, PB libre, sans plomb
Définition

Transistor MOSFET de puissance de N-canal de BSC010NE2LSI OptiMOS 25V pour le contrôle de moteur à bord du carnet DC-DC VRD/VRM LED de Mainboard de chargeur

 

Applications :

Chargeur à bord
Mainboard
Carnet
DC-DC
VRD/VRM
LED
Contrôle de moteur

Avec la famille de produits d'OptiMOS™ 25V, Infineon fixe de nouvelles normes dans la densité et le rendement énergétique de puissance pour les transistors MOSFET discrets de puissance

et système en paquet. Charge très réduite de porte et de sortie, ainsi que la plus basse résistance de sur-état en petits paquets d'empreinte de pas,

faites à OptiMOS™ 25V le meilleur choix pour les conditions exigeantes des solutions de régulateur de tension dans les serveurs, la télématique et les applications de télécom. Disponible dans la configuration de halfbridge (étape 5x6 de puissance).

 

Avantages :

 

Épargnez les coûts du système globaux en réduisant le numéro des phases dans des convertisseurs multiphasés
Réduisez les pertes de puissance et augmentez l'efficacité pour toutes les conditions de charge
Ménagez de l'espace avec les plus petits paquets comme CanPAK™, S3O8 ou système dans la solution de paquet
Réduisez au minimum l'IEM dans le système rendant les réseaux externes de séparateur obsolètes et les produits faciles à conception-dans.

 

 

MOSFET de puissance à canal N BSC010NE2LSI OptiMOS 25V pour carte mère de chargeur embarqué

 

Caractéristiques :

Catégorie
Produits semiconducteurs discrets
 
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Mfr
Infineon Technologies
Série
OptiMOS™
Paquet
Bande et bobine (TR)
Statut de partie
Actif
Type de FET
N-canal
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
100 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
90A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
7mOhm @ 50A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
3.5V @ 75µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
55 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
4000 PF @ 50 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
114W (comité technique)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur
PG-TDSON-8-1
Paquet/cas
8-PowerTDFN
Nombre bas de produit
BSC070
Parametrics BSC070N10NS3G
Ciss 3000 PF
Coss 520 PF
Identification (@25°C) maximum 90 A
IDpuls maximum 360 A
Minute de température de fonctionnement maximum -55 °C du °C 150
Ptot maximum 114 W
Paquet SuperSO8 5x6
Polarité N
QG (type @10V) 42 OR
Le RDS (dessus) (@10V) maximum mΩ 7
Rth 1,1 K/W
VDS maximum 100 V
Minute de VGS (Th) maximum 2,7 V 2 V 3,5 V

MOSFET de puissance à canal N BSC010NE2LSI OptiMOS 25V pour carte mère de chargeur embarqué

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Fournisseur de contact
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Angel Technology Electronics Co

Verified Supplier
4 Années
hongkong, shenzhen
Depuis 2006
Type d'entreprise :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
Total annuel :
80 millions-500 millions
Nombre de salariés :
20~200
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
Exigence de soumission