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Transistor MOSFET IC de puissance de BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS
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Les spécifications
Number modèle :
BSC070N10NS3GATMA1
Point d'origine :
La Malaisie
MOQ :
1pieces
Conditions de paiement :
T/T, Western Union
Capacité d'approvisionnement :
5000pcs
Délai de livraison :
5 jours ouvrables
Détails de empaquetage :
Bobine
Détails :
Canal N 100 V 90 A (Tc) 114 W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-1
Nom de produits :
Circuits intégrés (IC)
Catégorie :
composants électroniques
Famille d'IC :
Produits semi-conducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Unique
L'autre nom :
BSC070
Paquet :
TDSON8
Description :
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Statut sans plomb :
RoHS conforme, PB libre, sans plomb
Définition

N-canal 100 V 90A 114W PG-TDSON-8 IC de transistor MOSFET de puissance d'OptiMOS de 07N10NS BSC070N10NS3GATMA1 Infineon

Description :

Les transistors MOSFET de puissance du 100V OptiMOS™ d'Infineon offrent les solutions supérieures pour le rendement élevé, la puissance-densité élevée SMPS.

Comparé à la prochaine meilleure technologie cette famille réalise une réduction de 30% des deux R DS (dessus) et FOM (facteur de mérite).

Applications potentielles :
Rectification synchrone pour AC-DC SMPS
Contrôle de moteur pour les systèmes 48V-80V (c.-à-d. véhicules, puissance-outils, camions domestiques)
Convertisseurs d'isolement de DC-DC (systèmes de télécom et de télématique
Commutateurs et disjoncteurs de joint circulaire dans les systèmes 48V
Amplificateurs audio de la classe D
Alimentations d'énergie sans coupure (UPS)

Résumé des caractéristiques :
Excellente représentation de changement
Le plus bas R DS du monde (dessus)
Bas gd même de Q g et de Q
Excellent produit de la charge X R DS de porte (dessus) (FOM)
Conforme-halogène de RoHS libre
MSL1 a évalué 2

Avantages

Favorable à l'environnement
Efficacité accrue
Densité de la puissance la plus élevée
Moins de parallélisation requise
La plus petite consommation du panneau-espace
produits de Facile-à-conception

Caractéristiques :

Catégorie
　
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Mfr
Infineon Technologies
Série
OptiMOS™
Paquet
Bande et bobine (TR)
Statut de partie
Actif
Type de FET
N-canal
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
100 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
90A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
7mOhm @ 50A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
3.5V @ 75µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
55 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
4000 PF @ 50 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
114W (comité technique)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur
PG-TDSON-8-1
Paquet/cas
8-PowerTDFN
Nombre bas de produit
BSC070
Parametrics BSC070N10NS3G
Ciss 3000 PF
Coss 520 PF
Identification (@25°C) maximum 90 A
IDpuls maximum 360 A
Minute de température de fonctionnement maximum -55 °C du °C 150
Ptot maximum 114 W
Paquet SuperSO8 5x6
Polarité N
QG (type @10V) 42 OR
Le RDS (dessus) (@10V) maximum mΩ 7
Rth 1,1 K/W
VDS maximum 100 V
Minute de VGS (Th) maximum 2,7 V 2 V 3,5 V

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Number modèle :
BSC070N10NS3GATMA1
Point d'origine :
La Malaisie
MOQ :
1pieces
Conditions de paiement :
T/T, Western Union
Capacité d'approvisionnement :
5000pcs
Délai de livraison :
5 jours ouvrables
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Angel Technology Electronics Co

Verified Supplier
4 Années
hongkong, shenzhen
Depuis 2006
Type d'entreprise :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
Produits principaux :
Puce PMIC, CI de circuits intégrés, Composants électroniques
Total annuel :
80 millions-500 millions
Nombre de salariés :
20~200
Niveau de certification :
Verified Supplier
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