Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation d'Ultra-Haut-vitesse
1. Applications
• Commutation d'Ultra-Haut-vitesse
2. Caractéristiques
(1) AEC-Q101 a qualifié

| Caractéristique | Commutation ultra-rapide |
|---|---|
| Connexion interne | Série |
| Nombre de circuits | 2 |
| AEC-Q101 | Qualifié (*) |
| Produits compatibles de RoHS (#) | Disponible |
| Finition d'avance | Étain-Argent-cuivre |
| Max Processing Temp | 260 |
| Support | Bâti extérieur |
| Température de fonctionnement | °C -55 à 125 |
| Courant en avant moyen maximal | 0,1 A |
| Tension en avant maximale | 1,2 V |
| Courant de montée subite non répétitif maximal | 2 A |
| Tension inverse répétitive maximale | 85 V |
| Courant inverse maximal | 0,5 uA |
| Temps de rétablissement inverse maximal | 4 NS |
| Pin Count | 3 |
| Dimensions de produit | 2,9 x 1,5 x 1,1 millimètres |
| Paquet de fournisseur | S-mini |
| Type | Diode de commutation |


