Les spécifications
Number modèle :
1SS26 (C3)
Point d'origine :
LA CHINE
MOQ :
100pcs
Conditions de paiement :
T/T, Western Union
Capacité d'approvisionnement :
500000pcs
Délai de livraison :
2-15days
Détails de empaquetage :
Bobine
Catégorie :
Composant-diodes électroniques
Caractéristiques :
Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226
Famille :
NPN a polarisé le transistor SOT-323 de signal
Support :
Montage en surface
Application :
Commutation d'Ultra-Haut-vitesse
Paquet :
3-Pin SOT23
Description :
Puissance, salut diode de changement 0.1A 80V VR de commutateur de SPD
Délai d'exécution :
En stock
Le stock :
En stock
Définition

Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation d'Ultra-Haut-vitesse

1. Applications

• Commutation d'Ultra-Haut-vitesse

2. Caractéristiques

(1) AEC-Q101 a qualifié

Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation ultra à grande vitesse
Caractéristique Commutation ultra-rapide
Connexion interne Série
Nombre de circuits 2
AEC-Q101 Qualifié (*)
Produits compatibles de RoHS (#) Disponible

1SS226TE85IF

Diode commutant 85V 0.1A 3-Pin S-mini T/R

Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation ultra à grande vitessePlanaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation ultra à grande vitesse

Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation ultra à grande vitesse

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Point d'origine :
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MOQ :
100pcs
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Capacité d'approvisionnement :
500000pcs
Délai de livraison :
2-15days
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Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation ultra à grande vitesse
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Angel Technology Electronics Co

Verified Supplier
4 Années
hongkong, shenzhen
Depuis 2006
Type d'entreprise :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
Total annuel :
80 millions-500 millions
Nombre de salariés :
20~200
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
Exigence de soumission