Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation d'Ultra-Haut-vitesse
1. Applications
• Commutation d'Ultra-Haut-vitesse
2. Caractéristiques
(1) AEC-Q101 a qualifié
Caractéristique | Commutation ultra-rapide |
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Connexion interne | Série |
Nombre de circuits | 2 |
AEC-Q101 | Qualifié (*) |
Produits compatibles de RoHS (#) | Disponible |
Finition d'avance | Étain-Argent-cuivre |
Max Processing Temp | 260 |
Support | Bâti extérieur |
Température de fonctionnement | °C -55 à 125 |
Courant en avant moyen maximal | 0,1 A |
Tension en avant maximale | 1,2 V |
Courant de montée subite non répétitif maximal | 2 A |
Tension inverse répétitive maximale | 85 V |
Courant inverse maximal | 0,5 uA |
Temps de rétablissement inverse maximal | 4 NS |
Pin Count | 3 |
Dimensions de produit | 2,9 x 1,5 x 1,1 millimètres |
Paquet de fournisseur | S-mini |
Type | Diode de commutation |