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Poudre de carbure de silicium (SiC) de haute pureté 99,9999% (6N) HPSI de type 100 μm Taille de particule SIC Croissance cristalline
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Poudre de carbure de silicium (SiC) de haute pureté 99,9999% (6N) HPSI de type 100 μm Taille de particule SIC Croissance cristalline
Les spécifications
Numéro de modèle :
Sic poudre
Lieu d'origine :
Chine
Conditions de paiement :
T/T
Pour la pureté: :
≥ 99,9999% (6N)
Le type: :
4h-n
Dureté de Mohs : :
9.5
Résistivité : :
0.015?? 0.028Ω
Taille du grain: :
20 à 100 mm
Applications: :
pour la croissance des cristaux 4h-n sic
Définition

 

Résumé

 

Poudre de carbure de silicium (SiC) de haute pureté 99,9999% (6N) HPSI de type 100 μm Taille de particule SIC Croissance cristalline

 

La poudre de carbure de silicium (SiC), en tant que matériau de base pour les semi-conducteurs de troisième génération, présente une conductivité thermique élevée (490 W/m·K), une dureté extrême (Mohs 9,5) et une large bande passante (3,2 eV).Il est principalement utilisé pour la croissance des cristaux de SiC, la préparation du substrat du dispositif électrique et le frittage céramique à haute température. Avec une synthèse de pureté ultra-haute (≥ 99,9999%) et un contrôle précis de la taille des particules (50 nm~200 μm),il satisfait aux exigences des fours à croissance de cristaux PVT et des équipements épitaxiaux CVD.

 

 

 

Caractéristiques

 

· Pureté: contrôle des impuretés métalliques de grade 6N (99,9999%) pour la poudre de SiC de type HPSI;
· Forme cristalline: polytypes 4H/6H contrôlables en poudre de SiC HPSI;
· Taille des particules: réglable à 50 nm/200 μm (distribution D50 ±5%) pour la poudre de SiC semi-isolateur de haute pureté;
· Dopage: dopage personnalisable de type N (azote) ou de type P (aluminium) en poudre de SiC de qualité HPSI;

 

 

Poudre de carbure de silicium (SiC) de haute pureté 99,9999% (6N) HPSI de type 100 μm Taille de particule SIC Croissance cristalline

 

 

Poudre de carbure de silicium (SiC) de haute pureté 99,9999% (6N) HPSI de type 100 μm Taille de particule SIC Croissance cristalline

 

Applications

 

·Croissance des cristaux: méthode PVT pour les cristaux simples de SiC de 4/6 pouces

 

·Substrats épitaxiaux: préparation de plaquettes épitaxiales SiC pour appareils électriques

 

·Sintrage céramique: composants structurels à haute température (courants/buseaux)

 

 

Poudre de carbure de silicium (SiC) de haute pureté 99,9999% (6N) HPSI de type 100 μm Taille de particule SIC Croissance cristalline

 

 

 

ZMSH SIC en poudre affichage

 

ZMSH possède une expertise dans les matériaux SiC et une usine de production équipée de fours de croissance des cristaux PVT.Notre pureté en poudre et la consistance de la taille des particules conduisent l'industrie.

 

 

Poudre de carbure de silicium (SiC) de haute pureté 99,9999% (6N) HPSI de type 100 μm Taille de particule SIC Croissance cristalline

 

 

 

Questions et réponses

 

1Q: À quoi sert la poudre de carbure de silicium (SiC)?
R: La poudre de carbure de silicium est largement utilisée dans la fabrication de semi-conducteurs, les outils abrasifs et les matériaux réfractaires en raison de sa dureté extrême et de sa stabilité thermique.

 

 

2Q: Quels sont les avantages de la poudre de carbure de silicium par rapport aux matériaux traditionnels?
R: La poudre de SiC offre une conductivité thermique, une inerté chimique et une résistance mécanique supérieures à celles des matériaux conventionnels comme l'oxyde d'aluminium ou le silicium.

 

 

 

 

 


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Détails du produit
Numéro de modèle :
Sic poudre
Lieu d'origine :
Chine
Conditions de paiement :
T/T
Pour la pureté: :
≥ 99,9999% (6N)
Le type: :
4h-n
Dureté de Mohs : :
9.5
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Années
shanghai, shanghai
Depuis 2013
Type d'entreprise :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produits principaux :
Gaufrette de nitrure de gallium, Gaufrette de saphir, Sic substrat
Total annuel :
1000000-1500000
Niveau de certification :
Verified Supplier
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