Les spécifications
Numéro de modèle :
6 pouces 8 pouces 4H-SEMI SiC
Lieu d'origine :
Chine
Quantité minimale de commande :
25pc
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
1000pc / mois
Délai de livraison :
en 30 jours
Détails de l'emballage :
boîte en plastique personnalisée
Taille :
6 pouces, 8 pouces
Type :
4h-semi
Épaisseur A (Tropel) :
500,0 µm ± 25,0 µm
Indice de réfraction A :
> 2,6 @ 550 nm
Haze A :
≤0,3%
Densité de microtubes :
≤0,5 / cm²
Orientation :
<1-100> ± 2 °
Définition

​​Présentation du substrat SiC 4H-SEMI de 6 pouces et 8 pouces​​

​​Substrat SiC de type 4H-SEMI de qualité optique de 6 pouces et 8 pouces pour lunettes de réalité augmentée​​

Un substrat 4H-SiC de qualité optique révolutionnaire, conçu spécifiquement pour les lunettes de réalité augmentée, cultivé par ​​Transport de vapeur physique (PVT)​​ et affiné par ​​polissage à l'échelle nanométrique​​ et ​​sciage à faible contrainte​​. Ce produit réalise ​​la première solution d'affichage couleur complète à guide d'ondes monocouche au monde​​, répondant aux défis critiques de l'optique de réalité augmentée :

  • ​​Indice de réfraction ultra-élevé (n=2,619@750 nm)​​: Surpasse le verre traditionnel (1,5–1,9) et la résine (1,4–1,7), permettant un ​​champ de vision (FOV) >80°​​ avec une épaisseur de seulement ​​0,55 mm​​ et un poids ​​<2 g​​, éliminant l'encombrement et l'aberration chromatique des solutions en verre multicouches.
  • ​​Conductivité thermique de 490 W/m·K​​: Dissipe efficacement la chaleur des modules optiques haute puissance, assurant des performances stables lors d'une utilisation prolongée.
  • ​​Transmission >95 % (après revêtement antireflet)​​: Le coefficient d'absorption ultra-faible (α<0,5 %/µm @550 nm) minimise les pertes optiques, améliorant la luminosité et le contraste.

Ce substrat redéfinit les expériences de réalité augmentée légères et immersives, stimulant la prochaine génération de lunettes de réalité augmentée grand public.


​​

​​Caractéristiques innovantes du substrat SiC 4H-SEMI de 6 pouces et 8 pouces​​

1. Indice de réfraction élevé avec faible dispersion​​

  • ​​Percée technique​​: Le polytype 4H (séquence d'empilement ABCABCB) atteint ​​n=2,619@750 nm​​, comprimant les périodes de réseau à ​​300 nm​​ pour supprimer la diffraction de la lumière ambiante, réduisant la dispersion chromatique de ​​40%​​.
  • ​​Valeur d'application​​: Remplace les guides d'ondes en verre traditionnels à 3 couches par une ​​solution SiC monocouche​​, réduisant l'épaisseur de ​​80%​​ et permettant la compatibilité avec les micro-écrans LED pour un rendu couleur complet haute résolution.

Substrate SiC 6 pouces 8 pouces 4H-SEMI pour lunettes AR de qualité optique

2. ​​Coefficient de dilatation thermique ultra-faible (CTE=3,7×10⁻⁶/K)​​

  • ​​Percée technique​​: La structure cristalline 4H-SiC assure une stabilité thermique, avec un CTE ​​1/3 de celui du verre​​, empêchant le gauchissement et les décalages du trajet optique lors des cycles thermiques.
  • ​​Valeur d'application​​: Fonctionne de manière fiable dans des environnements de ​​-20–85°C​​, idéal pour les applications de réalité augmentée en extérieur.

3. Planéité de surface à l'échelle nanométrique (Ra<0,2 nm)​​

  • ​​Percée technique​​: Combine ​​polissage chimico-mécanique (CMP)​​ et gravure au plasma pour éliminer les dommages sous-jacents, atteignant une précision de gravure de ​​±5 nm​​.
  • ​​Valeur d'application​​: Atteint une ​​efficacité de guide d'ondes de 98%​​, minimisant les fuites de lumière.

4. ​​Densité de défauts <0,04/cm² (8 pouces)​​

  • ​​Percée technique​​: La ​​culture en phase liquide avancée (TSSG)​​ réduit la densité des microtubes à ​​<0,04/cm²​​ et la densité de dislocations à ​​<1000>
  • ​​Valeur d'application​​: Améliore le rendement à ​​>95%​​, réduisant les coûts de fabrication.

5. ​​Capacité de production à grande échelle de 8 pouces​​

  • ​​Percée technique​​: Les plaquettes de 8 pouces réduisent le gaspillage des bords de ​​7%​​, produisant ​​10–12 lentilles de réalité augmentée par plaquette​​.
  • ​​Valeur d'application​​: Réduit le coût par lentille de ​​30–50%​​, accélérant l'adoption sur le marché de masse.


Substrat SiC 4H-SEMI de 6 pouces et 8 pouces Applications​​

Substrate SiC 6 pouces 8 pouces 4H-SEMI pour lunettes AR de qualité optique

1. Guides d'ondes pour lentilles de réalité augmentée​​

  • ​​Fonction​​: Le substrat SiC 4H-SEMI de 6 pouces et 8 pouces agit comme un substrat pour les ​​guides d'ondes à réseau de relief de surface (SRG)​​, permettant des affichages couleur complète et haute résolution.
  • ​​Avantage​​: Remplace le verre multicouche par un ​​0,55 mm d'épaisseur, <2 g lens​​, achieving ​​FOV>80°​​.

2. ​​Modules d'affichage Micro LED​​

  • ​​Fonction​​: Le substrat SiC 4H-SEMI de 6 pouces et 8 pouces sert de support pour le ​​transfert de masse des Micro LED​​, améliorant la luminosité et le contraste.
  • ​​Avantage​​: La conductivité thermique élevée (​​490 W/m·K​​) résout les problèmes de dissipation thermique des Micro LED, prenant en charge une densité de pixels de ​​>10 000 PPI​​.

3. ​​Systèmes de stabilisation optique de réalité augmentée​​

  • ​​Fonction​​: Intègre des ​​réseaux de micromiroirs MEMS​​ pour la compensation dynamique du trajet de la lumière.
  • ​​Avantage​​: La résistance mécanique du SiC (module de Young de ​​450 GPa​​) et sa résilience thermique (​​-55–300°C​​) garantissent la fiabilité.

​​4. Gestion thermique des lunettes intelligentes​​

  • ​​Fonction​​: Le substrat SiC 4H-SEMI de 6 pouces et 8 pouces fournit un support de dissipation thermique pour les puces de réalité augmentée (par exemple, SoC, pilotes laser).
  • ​​Avantage​​: Résiste à une densité de puissance transitoire de ​​>10 W/mm²​​, empêchant l'étranglement thermique.


​​Substrat SiC 4H-SEMI de 6 poucesParamètre technique

​​Paramètres cristallins​​
Type 4H
Indice de réfraction a >2,6 @550nm
Absorptivité a ≤0,5 % @450-650nm
Transmission MP a
(sans conditions antireflet)
≥66,5 %
Voile a ≤0,3 %
Polymorphisme a Aucun autorisé
Densité de microtubes ≤0,5/cm²
Densité de vides hexagonaux Aucun autorisé
Impureté Grain sur hexagonal a Aucun autorisé
Inclusion MP a Aucun autorisé
​​Paramètres mécaniques​​
Dia (pouces) 6
Orientation de la surface (0001)±0,3°
Bord de référence de l'encoche Encoche
Orientation de l'encoche <1-100>±2°
Angle de l'encoche 90±5°/1°
Profondeur de l'encoche 1 mm ±0,25 mm (-0 mm)
Traitement de surface Côté C-Si (CMP)
Bord de la plaquette Biseau
Rugosité de surface (AFM) Ra≤0,2 nm
(zone de balayage de 5×5 µm)
Épaisseur a (Tropel) 500,0 µm ±25,0 µm
LTV (Tropel) ≤2 µm
TTV a (Tropel) ≤3 µm
Flèche a (Tropel) ≤5 µm
Voile a (Tropel) <15 µm


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Substrat SiC 4H-SEMI de 6 pouces et 8 pouces FAQ

1. Q : Quels sont les principaux avantages des substrats SiC pour les lunettes de réalité augmentée ?​​

R : ​​L'indice de réfraction élevé (n=2,619@750nm)​​ permet des guides d'ondes monocouches ultra-minces (FOV de 80°​​, éliminant les effets d'arc-en-ciel et les problèmes de poids dans les solutions en verre traditionnelles.

​​2. Q : Pourquoi choisir les substrats SiC de type 4H-SEMI plutôt que d'autres polytypes ?​​

R : ​​4H-SiC​​ offre une ​​stabilité thermique supérieure (CTE=3,7×10⁻⁶/K)​​ et une ​​densité de défauts <0,04/cm² (8 pouces)​​, assurant la fiabilité dans les systèmes optiques haute puissance et l'évolutivité de la production de masse.

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