Présentation du substrat SiC 4H-SEMI de 6 pouces et 8 pouces
Substrat SiC de type 4H-SEMI de qualité optique de 6 pouces et 8 pouces pour lunettes de réalité augmentée
Un substrat 4H-SiC de qualité optique révolutionnaire, conçu spécifiquement pour les lunettes de réalité augmentée, cultivé par Transport de vapeur physique (PVT) et affiné par polissage à l'échelle nanométrique et sciage à faible contrainte. Ce produit réalise la première solution d'affichage couleur complète à guide d'ondes monocouche au monde, répondant aux défis critiques de l'optique de réalité augmentée :
- Indice de réfraction ultra-élevé (n=2,619@750 nm): Surpasse le verre traditionnel (1,5–1,9) et la résine (1,4–1,7), permettant un champ de vision (FOV) >80° avec une épaisseur de seulement 0,55 mm et un poids <2 g, éliminant l'encombrement et l'aberration chromatique des solutions en verre multicouches.
- Conductivité thermique de 490 W/m·K: Dissipe efficacement la chaleur des modules optiques haute puissance, assurant des performances stables lors d'une utilisation prolongée.
- Transmission >95 % (après revêtement antireflet): Le coefficient d'absorption ultra-faible (α<0,5 %/µm @550 nm) minimise les pertes optiques, améliorant la luminosité et le contraste.
Ce substrat redéfinit les expériences de réalité augmentée légères et immersives, stimulant la prochaine génération de lunettes de réalité augmentée grand public.
Caractéristiques innovantes du substrat SiC 4H-SEMI de 6 pouces et 8 pouces
1. Indice de réfraction élevé avec faible dispersion
- Percée technique: Le polytype 4H (séquence d'empilement ABCABCB) atteint n=2,619@750 nm, comprimant les périodes de réseau à 300 nm pour supprimer la diffraction de la lumière ambiante, réduisant la dispersion chromatique de 40%.
- Valeur d'application: Remplace les guides d'ondes en verre traditionnels à 3 couches par une solution SiC monocouche, réduisant l'épaisseur de 80% et permettant la compatibilité avec les micro-écrans LED pour un rendu couleur complet haute résolution.

2. Coefficient de dilatation thermique ultra-faible (CTE=3,7×10⁻⁶/K)
- Percée technique: La structure cristalline 4H-SiC assure une stabilité thermique, avec un CTE 1/3 de celui du verre, empêchant le gauchissement et les décalages du trajet optique lors des cycles thermiques.
- Valeur d'application: Fonctionne de manière fiable dans des environnements de -20–85°C, idéal pour les applications de réalité augmentée en extérieur.
3. Planéité de surface à l'échelle nanométrique (Ra<0,2 nm)
- Percée technique: Combine polissage chimico-mécanique (CMP) et gravure au plasma pour éliminer les dommages sous-jacents, atteignant une précision de gravure de ±5 nm.
- Valeur d'application: Atteint une efficacité de guide d'ondes de 98%, minimisant les fuites de lumière.
4. Densité de défauts <0,04/cm² (8 pouces)
- Percée technique: La culture en phase liquide avancée (TSSG) réduit la densité des microtubes à <0,04/cm² et la densité de dislocations à <1000>
- Valeur d'application: Améliore le rendement à >95%, réduisant les coûts de fabrication.
5. Capacité de production à grande échelle de 8 pouces
- Percée technique: Les plaquettes de 8 pouces réduisent le gaspillage des bords de 7%, produisant 10–12 lentilles de réalité augmentée par plaquette.
- Valeur d'application: Réduit le coût par lentille de 30–50%, accélérant l'adoption sur le marché de masse.
Substrat SiC 4H-SEMI de 6 pouces et 8 pouces Applications

1. Guides d'ondes pour lentilles de réalité augmentée
- Fonction: Le substrat SiC 4H-SEMI de 6 pouces et 8 pouces agit comme un substrat pour les guides d'ondes à réseau de relief de surface (SRG), permettant des affichages couleur complète et haute résolution.
- Avantage: Remplace le verre multicouche par un 0,55 mm d'épaisseur, <2 g lens, achieving FOV>80°.
2. Modules d'affichage Micro LED
- Fonction: Le substrat SiC 4H-SEMI de 6 pouces et 8 pouces sert de support pour le transfert de masse des Micro LED, améliorant la luminosité et le contraste.
- Avantage: La conductivité thermique élevée (490 W/m·K) résout les problèmes de dissipation thermique des Micro LED, prenant en charge une densité de pixels de >10 000 PPI.
3. Systèmes de stabilisation optique de réalité augmentée
- Fonction: Intègre des réseaux de micromiroirs MEMS pour la compensation dynamique du trajet de la lumière.
- Avantage: La résistance mécanique du SiC (module de Young de 450 GPa) et sa résilience thermique (-55–300°C) garantissent la fiabilité.
4. Gestion thermique des lunettes intelligentes
- Fonction: Le substrat SiC 4H-SEMI de 6 pouces et 8 pouces fournit un support de dissipation thermique pour les puces de réalité augmentée (par exemple, SoC, pilotes laser).
- Avantage: Résiste à une densité de puissance transitoire de >10 W/mm², empêchant l'étranglement thermique.
Substrat SiC 4H-SEMI de 6 poucesParamètre technique
Paramètres cristallins |
Type |
4H |
Indice de réfraction a |
>2,6 @550nm |
Absorptivité a |
≤0,5 % @450-650nm |
Transmission MP a
(sans conditions antireflet) |
≥66,5 % |
Voile a |
≤0,3 % |
Polymorphisme a |
Aucun autorisé |
Densité de microtubes |
≤0,5/cm² |
Densité de vides hexagonaux |
Aucun autorisé |
Impureté Grain sur hexagonal a |
Aucun autorisé |
Inclusion MP a |
Aucun autorisé |
Paramètres mécaniques |
Dia (pouces) |
6 |
Orientation de la surface |
(0001)±0,3° |
Bord de référence de l'encoche |
Encoche |
Orientation de l'encoche |
<1-100>±2° |
Angle de l'encoche |
90±5°/1° |
Profondeur de l'encoche |
1 mm ±0,25 mm (-0 mm) |
Traitement de surface |
Côté C-Si (CMP) |
Bord de la plaquette |
Biseau |
Rugosité de surface (AFM) |
Ra≤0,2 nm
(zone de balayage de 5×5 µm) |
Épaisseur a (Tropel) |
500,0 µm ±25,0 µm |
LTV (Tropel) |
≤2 µm |
TTV a (Tropel) |
≤3 µm |
Flèche a (Tropel) |
≤5 µm |
Voile a (Tropel) |
<15 µm |
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Substrat SiC 4H-SEMI de 6 pouces et 8 pouces FAQ
1. Q : Quels sont les principaux avantages des substrats SiC pour les lunettes de réalité augmentée ?
R : L'indice de réfraction élevé (n=2,619@750nm) permet des guides d'ondes monocouches ultra-minces (FOV de 80°, éliminant les effets d'arc-en-ciel et les problèmes de poids dans les solutions en verre traditionnelles.
2. Q : Pourquoi choisir les substrats SiC de type 4H-SEMI plutôt que d'autres polytypes ?
R : 4H-SiC offre une stabilité thermique supérieure (CTE=3,7×10⁻⁶/K) et une densité de défauts <0,04/cm² (8 pouces), assurant la fiabilité dans les systèmes optiques haute puissance et l'évolutivité de la production de masse.
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