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Substrate SiC au carbure de silicium 4H-SEMI épaisseur 2 pouces Wafer SiC de qualité primaire de qualité factice de 350um 500um
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Les spécifications
Numéro de modèle :
Substrat SiC
Lieu d'origine :
Chine
Conditions de paiement :
T/T
Délai de livraison :
2 à 4 semaines
Matériel :
Monocristal de SiC
Je vous en prie. :
500,8 mm ± 0,38 mm
Grade :
Grade P ou D
Épaisseur :
350 mm ou 500 mm
orientation :
Sur l'axe: <0001> +/- 0,5 degré
Résistance :
≥1E5 Ω·cm
Définition

Les produits doivent être présentés sous forme d'une plaque de carbure de silicium, de carbure de silicium, d'un substrat de silicium, d'un substrat de carbure de silicium, de qualité P, de qualité D, de type HPSI.

À propos de 4H-SEMI SiCSubstrate SiC au carbure de silicium 4H-SEMI épaisseur 2 pouces Wafer SiC de qualité primaire de qualité factice de 350um 500um

  • Utilisez SIC Monocrystal pour faire

  • Soutenir les personnalisés avec des illustrations de conception

  • de haute qualité, adapté aux applications de haute performance

  • dureté élevée, environ 9,2 Mohs

  • largement utilisés dans les domaines de haute technologie, tels que l'électronique de puissance, l'électronique automobile et les appareils RF

Je suis désolée.

Description du SiC 4H-SEMI

Le carbure de silicium (SiC) est un semi-conducteur polyvalent réputé pour ses performances dans les applications à haute puissance et à haute fréquence.

Sa large bande passante permet un fonctionnement efficace à haute tension et à haute température, ce qui la rend adaptée à l'électronique de puissance, aux appareils RF et aux environnements difficiles.

Le SiC est essentiel dans des industries telles que l'automobile et l'énergie en raison de sa fiabilité et de son efficacité.

Les méthodes de fabrication avancées, telles que la déposition chimique des vapeurs (CVD) et le transport physique des vapeurs (PVT), garantissent des composants de haute qualité et durables.

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Les propriétés uniques du SiC le rendent également idéal pour l'optoélectronique à courte longueur d'onde, les environnements à haute température, la résistance aux rayonnements et les systèmes électroniques exigeants.

ZMSH propose une gamme de plaquettes SiC, y compris les types 6H et 4H, quel que soit le type N, le type SEMI ou le type HPSI, garantissant une qualité élevée et un approvisionnement stable,et rentabilité grâce à des procédés de production à grande échelle.

Caractéristiques du4H-SEMI SiC

4 pouces de diamètre 4H Substrate semi-isolant au carbure de silicium
Propriété du substrat Grade de production Grade de factice
Diamètre 50.8.0 mm +0.0/-0.38 mm
Orientation de la surface sur l'axe: {0001} ± 0,2°
L'orientation principale est plate Le niveau de température de l'air doit être supérieur ou égal à ± 5 °C.
Orientation à plat secondaire 90.0 ̊ CW à partir de la source primaire ± 5,0 ̊, le silicium face vers le haut
Longueur plate primaire 32.5 mm ± 2,0 mm
Longueur plate secondaire 18.0 mm ± 2,0 mm
Border de la gaufre Chambre de nuit
Densité des micropipes ≤ 5 micropipes/cm2 ≤ 50 micropipes/cm2
Zones de polytypes par lumière à haute intensité Aucun n'est autorisé ≤ 10% de surface
Résistance 0.015 à 0.028Ω·cm (surface 75%)
0.015 à 0.028Ω·cm
Épaisseur 350.0 μm ± 25,0 μm ou 500,0 μm ± 25,0 μm
TTV ≤ 10 μm ≤ 15 μm
BOW (valeur absolue) ≤ 25 μm ≤ 30 μm
La distorsion. ≤ 45 μm
Finition de surface Polissage à double face, Si Face CMP (polissage chimique)
Roughness de la surface CMP Si Face Ra≤0,5 nm N/A
Les fissures dues à la lumière de haute intensité Aucun n'est autorisé
Les éclairages diffusés permettent de créer des puces/indents de bord Aucun n'est autorisé Qty.2 largeur et profondeur < 1,0 mm
Surface utilisable totale ≥ 90% N/A
Note: Les spécifications personnalisées autres que les paramètres ci-dessus sont acceptables.

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*N'hésitez pas à nous contacter si vous avez des demandes personnalisées.

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Questions fréquentes

1. Q est:Comment 4H-SiC Semi assure-t-elle la qualité de ses plaquettes?

R: 4H-SiC Semi utilise des techniques de fabrication avancées, notamment la déposition chimique des vapeurs (CVD) et le transport physique des vapeurs (PVT),et suit des processus de contrôle de qualité stricts pour assurer des plaquettes de haute qualité.

2. Q: Quelle est la principale différence entre 4H-N SiC et 4H-SEMI SiC

R: La principale différence entre le 4H-N SiC et le 4H-SEMI SiC est que le 4H-N SiC (dopé à l'azote) est un carbure de silicium semi-conducteur de type n, alors que le 4H-Semi SiC est un carbure de silicium semi-isolateur,qui a été traité pour avoir une résistivité très élevée.

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Détails du produit
Numéro de modèle :
Substrat SiC
Lieu d'origine :
Chine
Conditions de paiement :
T/T
Délai de livraison :
2 à 4 semaines
Matériel :
Monocristal de SiC
Je vous en prie. :
500,8 mm ± 0,38 mm
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Années
shanghai, shanghai
Depuis 2013
Type d'entreprise :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produits principaux :
Gaufrette de nitrure de gallium, Gaufrette de saphir, Sic substrat
Total annuel :
1000000-1500000
Niveau de certification :
Verified Supplier
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