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2 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 3C-N Type 50,8 mm Diamètre Qualité de production Qualité de recherche Qualité factice
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Les spécifications
Numéro de modèle :
3C-N SiC
Lieu d'origine :
Chine
Quantité minimale de commande :
10 pour cent
Conditions de paiement :
T/T
Capacité à fournir :
1000pc/month
Délai de livraison :
dans 30days
Détails de l'emballage :
boîte en plastique sur mesure
Taille :
2 pouces
Constante diélectrique :
9,7
Dureté de surface :
HT0,3>2500
Densité :
3.21 G/cm3
Coefficient de dilatation thermique :
4,5 X 10-6/K
Résistance à la traction :
>400MPa
Voltage de rupture :
5,5 MV/cm
Applications :
Électronique de puissance, capteur
Définition

Description du produit:

2 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 3C-N Type 50,8 mm Diamètre Qualité de production Qualité de recherche Qualité factice

Le 3C-SiC (carbure de silicium cubique) est un matériau semi-conducteur à large bande avec de bonnes propriétés électriques et thermiques, particulièrement adapté aux applications à haute fréquence,Applications pour appareils électroniques à haute puissanceLe dopage de type N est généralement réalisé par l'introduction d'éléments tels que l'azote (N) et le phosphore (P), ce qui rend le matériau électronégatif et adapté à une variété de conceptions de dispositifs électroniques.La bande passante est d'environ 3Le dopage de type N maintient toujours une grande mobilité électronique, ce qui améliore les performances du dispositif.Une excellente conductivité thermique permet d'améliorer la capacité de dissipation de la chaleur des appareils électriquesIl a une bonne résistance mécanique et est adapté à une utilisation dans des environnements difficiles. Il a une bonne résistance à une large gamme de produits chimiques et est adapté pour des applications industrielles.il est utilisé dans les convertisseurs de puissance et les entraînements à haut rendement, adapté aux véhicules électriques et aux systèmes d'énergie renouvelable.

2 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 3C-N Type 50,8 mm Diamètre Qualité de production Qualité de recherche Qualité factice2 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 3C-N Type 50,8 mm Diamètre Qualité de production Qualité de recherche Qualité factice

Caractéristiques:

· large bande passante: bande passante d'environ 3,0 eV pour les applications à haute température et haute tension.
· Mobilité électronique élevée: le dopage de type N assure une bonne mobilité électronique et améliore les performances globales du dispositif.
· Excellente conductivité thermique: elle a une excellente conductivité thermique et améliore efficacement les performances de dissipation thermique, adaptée aux applications à haute puissance.
· Bonne résistance mécanique: il a une grande ténacité et résistance à la compression et convient à une utilisation dans des environnements difficiles.
· Résistance aux produits chimiques: bonne résistance à une large gamme de produits chimiques, améliorant la stabilité du matériau.
· Caractéristiques électriques réglables: en ajustant la concentration de dopage, différentes propriétés électriques peuvent être obtenues pour répondre aux besoins d'une variété d'applications.

Paramètres techniques:

2 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 3C-N Type 50,8 mm Diamètre Qualité de production Qualité de recherche Qualité factice

Applications:

1- électronique de puissance: pour les convertisseurs de puissance, les onduleurs et les entraînements à haut rendement, largement utilisés dans les véhicules électriques et les systèmes d'énergie renouvelable.
2- équipement RF et micro-ondes: amplificateurs RF, équipement micro-ondes, particulièrement adaptés aux systèmes de communication et de radar.
3. Optoélectronique: Il peut être utilisé comme bloc de construction pour les LED et les détecteurs de lumière, en particulier dans les applications bleues et ultraviolettes.
4Sensors: Appliqués à un large éventail de capteurs dans des environnements à haute température et à haute puissance, offrant des performances fiables.
5Chargement sans fil et gestion de la batterie: utilisé dans les systèmes de charge sans fil et les dispositifs de gestion de la batterie pour améliorer l'efficacité et les performances.
6Équipement électrique industriel: utilisé dans les systèmes d'automatisation et de contrôle industriels pour améliorer l'efficacité énergétique et la stabilité du système.
2 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 3C-N Type 50,8 mm Diamètre Qualité de production Qualité de recherche Qualité factice

Personnalisation:

Notre substrat SiC est disponible dans le type 3C-N et est certifié RoHS. La quantité minimale de commande est de 10pc et le prix est par cas. Les détails d'emballage sont des boîtes en plastique personnalisées.Le délai de livraison est de 30 jours et nous acceptons les conditions de paiement T/TNotre capacité d'approvisionnement est de 1000 pièces par mois. La taille du substrat SiC est de 2 pouces. Le lieu d'origine est la Chine.

2 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 3C-N Type 50,8 mm Diamètre Qualité de production Qualité de recherche Qualité factice

Nos services:

1- Fabrication directe et vente.

2Des citations rapides et précises.

3Nous vous répondrons dans les 24 heures ouvrables.

4. ODM: la conception sur mesure est disponible.

5Rapide et précieux.

FAQ:
Q: Quel est le mode d'expédition et le coût?
R: Nous acceptons DHL, Fedex, EMS, etc.
(2) Si vous avez votre propre compte express, c'est génial. Sinon, nous pourrions vous aider à les expédier.
Le fret est conforme au règlement effectif.

Q: Puis-je personnaliser les produits en fonction de mes besoins?
R: Oui, nous pouvons personnaliser le matériau, les spécifications et la forme, la taille selon vos besoins.

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Détails du produit
Numéro de modèle :
3C-N SiC
Lieu d'origine :
Chine
Quantité minimale de commande :
10 pour cent
Conditions de paiement :
T/T
Capacité à fournir :
1000pc/month
Délai de livraison :
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Années
shanghai, shanghai
Depuis 2013
Type d'entreprise :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produits principaux :
Gaufrette de nitrure de gallium, Gaufrette de saphir, Sic substrat
Total annuel :
1000000-1500000
Niveau de certification :
Verified Supplier
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