3 pouces HPSI Carbure de silicium SiC épaisseur du substrat 500um qualité primaire qualité factice qualité de recherche qualité translucide

À propos de HPSI

La plaque HPSI SiC est un matériau semi-conducteur avancé largement utilisé dans les appareils électroniques dans des environnements à haute puissance, haute fréquence et haute température.propriétés semi-isolantesIl peut être appliqué dans l'électronique de puissance, les appareils RF, les capteurs à haute température.

Les plaquettes SiC HPSI sont devenues des matériaux importants pour les appareils électroniques de haute technologie modernes en raison de leurs excellentes propriétés électriques et thermiques.son champ d'application continuera à s'élargir.

Je suis désolée.

Propriétés du SiC 4H-SEMI

- Haute pureté: les plaquettes SiC HPSI réduisent l'impact des impuretés et améliorent les performances et la fiabilité de l'appareil.

- Propriétés semi-isolantes: Cette plaque a de bonnes propriétés semi-isolantes, qui peuvent supprimer efficacement les courants parasites et convient aux applications à haute fréquence.

-L'écart de bande large: Le SiC a un écart de bande large (environ 3,3 eV), ce qui le rend excellent dans les environnements à haute température, à haute puissance et à rayonnement.

- Haute conductivité thermique: le carbure de silicium a une haute conductivité thermique, ce qui contribue à dissiper la chaleur et à améliorer la stabilité de fonctionnement et la durée de vie de l'appareil.

- Résistance à haute température: le SiC peut fonctionner de manière stable à haute température et convient aux applications dans des environnements extrêmes.

Caractéristiques duHPSI SiC

*N'hésitez pas à nous contacter si vous avez des demandes personnalisées.

Application de l'IPSH

- électronique de puissance: utilisée pour la fabrication de convertisseurs et d'onduleurs de puissance efficaces, largement utilisés dans les véhicules électriques, les énergies renouvelables et les systèmes de transmission d'énergie.

- Dispositifs RF: Dans les systèmes de communication et de radar, les plaquettes SiC peuvent améliorer la puissance de traitement du signal et la réponse en fréquence.

- Capteurs de température élevée: capteurs de température élevée pour le pétrole, le gaz et l'aérospatiale.

Questions fréquentes

1. Q est:Quelle est la différence entre SI et SiC?

A: Je suis désolé.SiC est un semi-conducteur à bande large avec une bande passante de 2,2 à 3,3 électronvolts (eV).

2- Je ne sais pas.Pourquoi le carbure de silicium est-il si cher?

R: Parce que sLa fabrication de produits à base de carbure de silicium est difficile et nécessite des processus de production complexes tels que la haute température et la haute pression.