Les spécifications
Number modèle :
MI9V
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
100pc
Nom :
Disque transistorisé de Faspeed
Facteur de forme :
M.2 2280
Interface :
PCIe Gen3 ×4, NVMe
Capacité :
512GB, 1TB
Dispositifs compatibles :
Ordinateur portable, bureau
Dimensions :
80mm x 22mm x 3.5mm
Définition

commande à semi-conducteur interne faspeed de haute performance de disque transistorisé PCIe 2280 principaux de la série m.2 NVMe de MI

 

  • Le facteur de forme du contrat M.2 2280 est la solution idéale de stockage pour les ordinateurs portables ultra-minces et ultra-petits
  • Interface de grande vitesse de NVMe PCIe Gen3x4 - la vitesse lecture/écriture séquentielle peut atteindre jusqu'à 1600/1000 MB/s qui réduisent les retards du système d'exploitation et du jeu/du logiciel.
  • Performance ultra haute - la représentation de transfert est 5 fois plus haut que l'interface de SATA III. Capable de la lecture et d'écrire un grand nombre de données de jeu, de graphiques complexes et de mouvement traitant des algorithmes, ou chargeant vidéo/graphiques résistants éditant le logiciel.
  • Spécifications M.2 2280 : Soutient les plates-formes de la deuxième génération d'Intel et d'AMD. Approprié au bureau et au carnet
  • Soutient SLC cachant la technologie. Augmentez considérablement la représentation de calcul
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Commande à semi-conducteur interne de haute performance du disque transistorisé 3.5mm de MI PCIe 2280 M.2 NVMe

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Number modèle :
MI9V
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
100pc
Nom :
Disque transistorisé de Faspeed
Facteur de forme :
M.2 2280
Interface :
PCIe Gen3 ×4, NVMe
Fournisseur de contact
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Commande à semi-conducteur interne de haute performance du disque transistorisé 3.5mm de MI PCIe 2280 M.2 NVMe

Dongguan Reomax Electronics Technology Co., Ltd

Verified Supplier
5 Années
Depuis 1999
Type d'entreprise :
Manufacturer, Seller
Total annuel :
3,000,000-5,000,000
Nombre de salariés :
130~150
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
Exigence de soumission