Les spécifications
Numéro de modèle :
2SA1162-GR, SI
Lieu d'origine :
JAPON
Quantité minimum de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Délai de livraison :
5-8 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
CMS/CMS SC-59-3
Produit :
Transistor bipolaire-transistor à jonction bipolaire (BJT)
Style d'installation :
SMD / SMT
Package / boîte :
SC-59-3
Série :
2SA1162
Encapsulation :
Bobine, ruban coupé, bobine de souris
Type de produit :
BJT - Transistors bipolaires
Poids unitaire :
mg 8
Définition

Fabricant: Toshiba
Catégorie de produit: transistor bipolaire - transistor à jonction bipolaire (BJT)
Technologie: si
Style d'installation: SMD/SMT
Boîtier/emballage: SC-59-3
Polarité du transistor: PNP
Configuration: Simple
Courant de collecteur continu maximum: 150 mA
Tension collecteur-émetteur maximale VCEO: 50 V
Tension collecteur-base VCBO: 50 V
Tension émetteur-base VEBO: 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur: 100 mV
Pd - dissipation de puissance: 150 mW
Produit gain-bande passante fT: 80 MHz
Température de fonctionnement maximale: +125°C
Qualification: AEC-Q101
Série: 2SA1162
Emballage: Bobine
Emballage: Coupe de bande
Conditionnement: MouseReel
Marque: Toshiba
Gain courant continu collecteur/base hfemin: 70
Gain en courant continu maximum hFE: 400
Type de produit: BJTs - Transistors bipolaires
Sous-catégorie: Transistors
Poids unitaire: 8 mg

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2SA1162-GR,LF Transistor à jonction bipolaire Pnp 50V 80MHz 150MW

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2SA1162-GR, SI
Lieu d'origine :
JAPON
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Délai de livraison :
5-8 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
CMS/CMS SC-59-3
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2SA1162-GR,LF Transistor à jonction bipolaire Pnp 50V 80MHz 150MW

Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

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2 Années
shenzhen
Depuis 2016
Total annuel :
1000000-2000000
Nombre de salariés :
100~120
Niveau de certification :
Active Member
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