Fabricant: Toshiba
Catégorie de produit: transistor bipolaire - transistor à jonction bipolaire (BJT)
Technologie: si
Style d'installation: SMD/SMT
Boîtier/emballage: SC-59-3
Polarité du transistor: PNP
Configuration: Simple
Courant de collecteur continu maximum: 150 mA
Tension collecteur-émetteur maximale VCEO: 50 V
Tension collecteur-base VCBO: 50 V
Tension émetteur-base VEBO: 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur: 100 mV
Pd - dissipation de puissance: 150 mW
Produit gain-bande passante fT: 80 MHz
Température de fonctionnement maximale: +125°C
Qualification: AEC-Q101
Série: 2SA1162
Emballage: Bobine
Emballage: Coupe de bande
Conditionnement: MouseReel
Marque: Toshiba
Gain courant continu collecteur/base hfemin: 70
Gain en courant continu maximum hFE: 400
Type de produit: BJTs - Transistors bipolaires
Sous-catégorie: Transistors
Poids unitaire: 8 mg