Les spécifications
Numéro de modèle :
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Lieu d'origine :
États-Unis
Quantité minimum de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Délai de livraison :
5-8 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
CMS/CMS SOT-23-3
Produit :
Transistor MOSFET
Package / boîte :
SOT-23-3
Style d'installation :
SMD / SMT
Encapsulation :
Bobine, ruban coupé, bobine de souris
Type de produit :
Mosfets
Poids unitaire :
mg 8
Série :
1 canal P
Définition

Fabricant : Vishay
Catégorie de produit : MOSFET
Technologie : Si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/Emballage : SOT-23-3
Polarité du transistor : Canal P
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 20 V
Id - Courant de drain continu : 6 A
Rds On - Résistance drain-source à l'état passant : 39 mOhms
Vgs - Tension grille-source : -8 V, +8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1 V
Qg - Charge de grille : 9 nC
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 2,5 W
Mode de canal : Amélioration
Nom commercial : TrenchFET
Emballage : Bobine
Emballage : Coupe de bande
Encapsulation : MouseReel
Marque : Vishay Semiconductors
Configuration : Simple
Temps de descente : 12 ns
Hauteur : 1,45 mm
Longueur : 2,9 mm
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 23 ns
Série : SI2
Sous-catégorie : Transistors
Type de transistor : 1 Canal P
Temps de retard de fermeture typique : 40 ns
Temps de retard d'activation typique : 15 ns
Largeur : 1,6 mm
Alias de numéro de pièce : SI2323CDS-T1-BE3 SI2323CDS-GE3-ge3
Poids unitaire : 8 mg

SI2323CDS-T1-GE3.pdf

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SI2323CDS-T1-GE3 MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

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SI2323CDS-T1-GE3 MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

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2 Années
shenzhen
Depuis 2016
Total annuel :
1000000-2000000
Nombre de salariés :
100~120
Niveau de certification :
Active Member
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