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SI2323DS-T1-BE3 MOSFET SOT23 P CANAL 20V
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Les spécifications
Numéro de modèle :
SI2323DS-T1-BE3
Lieu d'origine :
États-Unis
Quantité minimum de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Délai de livraison :
5-8 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
CMS/CMS SOT-23-3
Produit :
Transistor MOSFET
Package / boîte :
SOT-23-3
Style d'installation :
SMD / SMT
Encapsulation :
Bobine, ruban coupé, bobine de souris
Type de produit :
Mosfets
Poids unitaire :
mg 8
Série :
1 canal P
Définition

Fabricant : Vishay
Catégorie de produit : MOSFET
Technologie : Si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/Emballage : SOT-23-3
Polarité du transistor : Canal P
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 20 V
Id - Courant de drain continu : 4,7 A
Rds On - Résistance drain-source à l'état passant : 39 mOhms
Vgs - Tension grille-source : -8 V, +8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1 V
Qg - Charge de grille : 12,5 nC
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 1,25 W
Mode de canal : Amélioration
Emballage : Bobine
Emballage : Coupe en bande
Conditionnement : MouseReel
Marque : Vishay/Siliconix
Configuration : Simple
Temps de descente : 48 ns
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 43 ns
Sous-catégorie : Transistors
Type de transistor : 1 canal P
Temps de retard de fermeture typique : 71 ns
Temps de retard d'activation typique : 25 ns
Alias de numéro de pièce : Si2323DS-T1-E3
Poids unitaire : 8 mg

SI2323DS-T1-E3.pdf

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Détails du produit
Numéro de modèle :
SI2323DS-T1-BE3
Lieu d'origine :
États-Unis
Quantité minimum de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Délai de livraison :
5-8 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
CMS/CMS SOT-23-3
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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

Active Member
2 Années
shenzhen
Depuis 2016
Produits principaux :
Circuit intégré IC, Condensateur en céramique multicouche, Résistant à film épais
Total annuel :
1000000-2000000
Nombre de salariés :
100~120
Niveau de certification :
Active Member
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