Les spécifications
Number modèle :
CY14V101NA-BA45XI
Point d'origine :
Chine,Guangdong
MOQ :
>=5pcs
Conditions de paiement :
Engagement, L/C, D/A, D/P, T/T
Capacité d'approvisionnement :
99000 acres/acres par Day+pcs+2-7days
Délai de livraison :
jours 2-4work
Détails de empaquetage :
L'usine originale du joint la garniture avec les types standard : tube, plateau, bande et bobine, bo
Description :
PARALLÈLE 48FBGA D'IC NVSRAM 1MBIT
Paquet/cas :
48-TFBGA
Montage du type :
Bâti extérieur
Température de fonctionnement :
-40°C | 85°C (VENTRES)
Tension - approvisionnement :
2.7V | 3.6V
Capacité de la mémoire :
1Mbit
Statut de produit :
Actif
Nombre bas de produit :
CY14V101
Définition

L'énergie de TPS82130SILR alimentation le bâti PoL Module non isolé de conseil que le convertisseur 1 de C.C de C.C a produit 0,9 | 5V 3A

 

DESCRIPTION DE PRODUIT

 

Cypress CY14V101LA/CY14V101NA est une MÉMOIRE RAM rapidement statique, avec un élément non-volatile en chaque cellule de mémoire. La mémoire est organisée en tant que 128 octets de 8 bits chacun de K ou 64 mots de 16 bits chacun de K. Les éléments non-volatiles inclus incorporent la technologie de QuantumTrap, produisant la mémoire non-volatile la plus fiable du monde. SRAM fournit la lecture infinie et écrit des cycles, alors que les données non-volatiles indépendantes résident dans la cellule fortement fiable de QuantumTrap. Les transferts des données de SRAM aux éléments non-volatiles (l'opération de MAGASIN) a lieu automatiquement à la puissance vers le bas. Sur la mise sous tension, des données sont reconstituées à SRAM (l'opération de RAPPEL) de la mémoire non-volatile. Les opérations de MAGASIN et de RAPPEL sont également disponibles sous le contrôle de logiciel.

 

PROPRIÉTÉS DE PRODUIT

 

Statut de produit
Actif
Type de mémoire
Non-volatile
Format de mémoire
NVSRAM
Technologie
NVSRAM (SRAM non-volatile)
Capacité de la mémoire
1Mbit
Organisation de mémoire
64K X 16
Interface de mémoire
Parallèle
Écrivez la durée de cycle - Word, page
45ns
Temps d'accès
45 NS
Tension - approvisionnement
2.7V | 3.6V
Température de fonctionnement
-40°C | 85°C (VENTRES)
Montage du type
Bâti extérieur
Paquet/cas
48-TFBGA
Paquet de dispositif de fournisseur
48-FBGA (6x10)
Nombre bas de produit
CY14V101

 

Mémoire non-volatile IC 1Mbit 45 parallèles NS 48-FBGA de SRAM

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Number modèle :
CY14V101NA-BA45XI
Point d'origine :
Chine,Guangdong
MOQ :
>=5pcs
Conditions de paiement :
Engagement, L/C, D/A, D/P, T/T
Capacité d'approvisionnement :
99000 acres/acres par Day+pcs+2-7days
Délai de livraison :
jours 2-4work
Fournisseur de contact
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Mémoire non-volatile IC 1Mbit 45 parallèles NS 48-FBGA de SRAM

STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Active Member
4 Années
hong kong
Depuis 2010
Type d'entreprise :
Exporter, Trading Company, Seller
Total annuel :
1000000-9990000
Nombre de salariés :
20~100
Niveau de certification :
Active Member
Fournisseur de contact
Exigence de soumission