DESCRIPTION DE PRODUIT
Ces transistors épitaxiaux de silicium de NPN sont conçus pour l'usage dans des applications d'amplificateur audio. Le dispositif est logé dans le paquet SOT−223, qui est conçu pour des applications de bâti de surface de puissance moyenne.
PROPRIÉTÉS DE PRODUIT
Statut de produit
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Actif
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Type de transistor
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NPN
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Actuel - collecteur (IC) (maximum)
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1 A
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Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum)
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80 V
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Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC
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500mV @ 50mA, 500mA
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Actuel - coupure de collecteur (maximum)
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100nA (ICBO)
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Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce
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100 @ 150mA, 2V
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Puissance - maximum
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1,5 W
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Fréquence - transition
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130MHz
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Température de fonctionnement
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-65°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Bâti extérieur
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Paquet/cas
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TO-261-4, TO-261AA
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Paquet de dispositif de fournisseur
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SOT-223 (TO-261)
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Nombre bas de produit
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BCP56
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