DESCRIPTION DE PRODUIT
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PROPRIÉTÉS DE PRODUIT
Statut de produit
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Actif
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Type de FET
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N-canal 2 (double)
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Caractéristique de FET
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Porte de niveau de logique
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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40V
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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10A
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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13mOhm @ 10A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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2.7V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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33nC @ 10V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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1950pF @ 20V
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Puissance - maximum
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2W
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Bâti extérieur
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Paquet/cas
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8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm)
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Paquet de dispositif de fournisseur
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8-SOIC
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