NOUVEAU ET ORIGINAL transistor MOSFET SOT23-3 IRLML6401TRPBF du N-canal IRLML6401
Produits Description :
Transistor MOSFET ; Puissance ; P-ch ; VDSS -12V ; Le RDS (DESSUS) 0.05Ohm ; Identification -4.3A ; Micro3 ; Palladium 1.3W ; VGS +/-8V
Transistor MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin T/R micro de transport
Transistor : P-MOSFET ; unipolaire ; niveau de logique ; -12V ; -4.3A ; 1.3W
Ces transistors MOSFET de P-canal de redresseur international utilisent des techniques advancedprocessing pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et le devicedesign robuste que les transistors MOSFET de puissance de HEXFET® sont bien connus pour, fournit au thedesigner un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans la gestion d'andload de batterie. Un grand leadframe thermiquement augmenté de protection a été incorporé au paquet du thestandard SOT-23 pour produire un transistor MOSFET de puissance de HEXFET avec la plus petite empreinte de pas des theindustry. Ce paquet, a doublé le Micro3™, est des forapplications idéaux où électronique la carte que l'espace est à une prime. Le profil bas (<1>
Paramètres technologiques :
Tension de seuil |
550 système mv |
capacité d'entrée |
830 PF |
Puissance évaluée |
1,3 W |
polarité |
P-canal |
Méthode d'installation |
Bâti extérieur |
numéro de borne |
3 |
paquet |
SOT-23-3 |
Température de fonctionnement |
-55℃ | 150℃ (TJ) |
Emballage |
Bande et bobine (TR) |
Applications de fabrication |
Commutateurs de C.C |