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BSS123 SA SOT23 IC électronique ébrèche 3 Pin Surface Mount Installation
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Les spécifications
Number modèle :
BSS123
MOQ :
discutable
Conditions de paiement :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
10000 PCs par mois
Délai de livraison :
jours 1-7Work
Détails de empaquetage :
original
Point d'origine :
LA CHINE
résistance de Drain-source :
1,2 Ω
Puissance dispersée :
360 mW
tension de seuil :
1,7 V
Méthode d'installation :
Bâti extérieur
Numéro de borne :
3
Paquet :
SOT-23-3
Emballage :
Bande et bobine (TR)
Définition

Nouvelle puce originale du circuit intégré IC de Bss123 SA Sot23

 

Produits Description :

 

Transistor MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 du N-canal BSS123 marquant la commutation rapide/logique de SA à niveau compatible

Tension maximum de Drain-source de Vds de tension de Source-drain| 100V ---|--- Tension maximum de Porte-source de Vgs de tension de Porte-source (±)| l'identification actuelle du drain 100V maximum vidangent actuel| Source-drain 170mA/0.17A sur-resistanceΩRds DΩ le Sur-état Ω/Ohmesistance de /Ohmain-SouΩ/Ohmce| 3.4Ω/Ohm @1.7A, tension d'ouverture de seuil de Porte-source de Vgs de la tension 10V (Th)| dissipation de puissance du palladium 0.8-1.2V| description 360mW/0.36W et applications| Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de niveau de logique de N-canal BSS100 : 0.22A, 100V. Le RDS (DESSUS) = 6W @ VGS = 10V. BSS123 : 0.17A, 100V. Le RDS (DESSUS) = 6W @ conception à haute densité des cellules VGS = 10V pour extrêmement - commutateur commandé de signal de basse tension du RDS (SUR) le petit. Rocailleux et fiable. Description et application | Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de niveau de logique de N-canal BSS100 : 0.22A, 100V. LE RDS (DESSUS) = 6W@VGS =10V. BSS123 : 0.17A, 100V. La batterie à haute densité du RDS (SUR) =6W@ VGS= 10V est conçue avec extrêmement - la basse tension du RDS (DESSUS) pour commander le petit commutateur de signal.

 

Paramètres technologiques :

 

Capacité d'entrée (Ciss) 73pF @25V (Vds)
résistance de Drain-source 1,2 Ω
Puissance dispersée 360 mW
tension de seuil 1,7 V
Tension de Drain-source (Vds) 100 V
Méthode d'installation Bâti extérieur
numéro de borne 3
paquet SOT-23-3
Température de fonctionnement -55℃ | 150℃
Emballage Bande et bobine (TR)

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Détails du produit
Number modèle :
BSS123
MOQ :
discutable
Conditions de paiement :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
10000 PCs par mois
Délai de livraison :
jours 1-7Work
Détails de empaquetage :
original
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Shenzhen Res Electronics Limited

Verified Supplier
4 Années
guangdong, shenzhen
Depuis 2000
Type d'entreprise :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller, Other
Produits principaux :
Puces électroniques d'IC, Puce de mémoire d'IC, Puce d'IC de transistor
Nombre de salariés :
50~100
Niveau de certification :
Verified Supplier
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