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RN1117MFV, L3F
RN1117MFV, L3F
Les spécifications
Category :
Discrete Semiconductor Products Transistors Bipolar (BJT) Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Current - Collector (Ic) (Max) :
100 mA
Product Status :
Active
Transistor Type :
NPN - Pre-Biased
Frequency - Transition :
250 MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package :
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Series :
-
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50 V
Supplier Device Package :
VESM
Resistor - Base (R1) :
10 kOhms
Mfr :
Toshiba Semiconductor and Storage
Resistor - Emitter Base (R2) :
4.7 kOhms
Current - Collector Cutoff (Max) :
500nA
Power - Max :
150 mW
Package / Case :
SOT-723
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
30 @ 10mA, 5V
Base Product Number :
RN1117
Description :
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Définition
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RN1117MFV, L3F

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Détails du produit
Category :
Discrete Semiconductor Products Transistors Bipolar (BJT) Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Current - Collector (Ic) (Max) :
100 mA
Product Status :
Active
Transistor Type :
NPN - Pre-Biased
Frequency - Transition :
250 MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Fournisseur de contact
RN1117MFV, L3F

Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
3 Années
Depuis 2009
Type d'entreprise :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produits principaux :
But spécial audio, Convertisseurs de C.C à C.A., commutateurs en différé, DSP (processeurs de signaux numériques)
Nombre de salariés :
600~800
Niveau de certification :
Verified Supplier
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