Les spécifications
Number modèle :
FS150R12KT4_B11
Point d'origine :
L'Allemagne
MOQ :
1pcs
Conditions de paiement :
L/C, T/T
Capacité d'approvisionnement :
500 PCS+48hours
Délai de livraison :
48hours
Détails de empaquetage :
Plateau
Infineon :
FS150R12KT4_B11
Configuration :
6-Pack
Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur :
1,2 kilovolts
Tension de saturation de collecteur-émetteur :
1,75 V
Courant de collecteur continu à 25C :
150 A
courant de fuite de Porte-émetteur :
Na 100
dissipation puissance du palladium :
750W
La température fonctionnante minimum :
-40℃
La température fonctionnante maximum :
+150℃
Emballage :
10 PCs
Définition

 

FS150R12KT4_B11   SP000369616   Infineon   Module N-CH 1.2KV 150A d'IGBT

 

FS150R12KT4B11BOSA1

 

 

Fabricant : Infineon
Type de produit : Modules d'IGBT
Configuration : 6-Pack
Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur : 1,2 kilovolts
Tension de saturation de collecteur-émetteur : 1,75 V
Courant de collecteur continu à 25 C : 150 A
courant de fuite de Porte-émetteur : Na 100
dissipation puissance du palladium : 750 W
Paquet/Cabinet : Econo 3
La température fonctionnante minimum : - 40 C
La température fonctionnante maximum : + 150 C
Paquet : Plateau
Taille : 17mm
Longueur : 122mm
Tension maximum de porte/émetteur : 20 V
Montage du style : Bâti de châssis
Série : Trenchstop IGBT4 - T4
Quantité de emballage : 10 PCS
Sous-catégorie : IGBTs
Technologie : SI

 

 

Paquet FS150R12KT4_B11 N-CH SP000369616 des modules 6 de 1.2KV 150A IGBTPaquet FS150R12KT4_B11 N-CH SP000369616 des modules 6 de 1.2KV 150A IGBT

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Point d'origine :
L'Allemagne
MOQ :
1pcs
Conditions de paiement :
L/C, T/T
Capacité d'approvisionnement :
500 PCS+48hours
Délai de livraison :
48hours
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Eastern Stor International Ltd.

Verified Supplier
3 Années
guangdong, shenzhen
Depuis 2019
Type d'entreprise :
Distributeur/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Total annuel :
20000000-30000000
Nombre de salariés :
50~80
Niveau de certification :
Verified Supplier

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