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Circuits intégrés électroniques SRAM IS61WV25616BLL-10TLI asynchrone 4Mo 10ns TSOP44 parallèle
Circuits intégrés électroniques SRAM IS61WV25616BLL-10TLI asynchrone 4Mo 10ns TSOP44 parallèle
Les spécifications
Numéro de type :
IS61WV25616BLL-10TLI
MOQ :
1 morceau
Conditions de paiement :
T/T, Paypal, Western Union, engagement et d'autres
Capacité d'approvisionnement :
500-2000pcs par mois
Détails d'emballage :
10cm x 10cm x 5cm
Délai de livraison :
3-5 jours de travail
No de l'article :
IS61WV25616BLL-10TLI
Type de mémoire :
Volatil
format de mémoire :
SRAM
Taille de la mémoire :
Taille de la mémoire
Définition

 

Puce d'IC de mémoire de SRAM IS61WV25616BLL-10TLI de PUCE d'IC - mémoire asynchrone IC 4Mb 10ns parallèle TSOP44

 

 

CARACTÉRISTIQUES :

 

GRANDE VITESSE : (IS61/64WV25616ALL/BLL)

• Temps d'accès haut débit : 8, 10, 20 NS

• Bas Active Power : 85 mW (typiques)

• Basse alimentation générale : remplaçant de 7 mW CMOS (typique)

PUISSANCE FAIBLE : (IS61/64WV25616ALS/BLS)

• Temps d'accès haut débit : 25, 35, 45 NS

• Bas Active Power : 35 mW (typiques)

• Basse alimentation générale : 0,6 remplaçants de mW CMOS (typique)

• Alimentation d'énergie simple

— VDD 1.65V à 2.2V (IS61WV25616Axx)

— VDD 2.4V à 3.6V (IS61/64WV25616Bxx)

• Opération entièrement statique : aucune horloge ou ne régénèrent requis

• Trois sorties d'état

• Contrôle de données pour les octets supérieurs et inférieurs

• Appui industriel et des véhicules à moteur de la température

• Disponible sans plomb

SCHÉMA FONCTIONNEL FONCTIONNEL :

DESCRIPTION

L'ISSI IS61WV25616Axx/Bxx et IS64WV25616Bxx

sont ultra-rapides, 4 194 304 mémoires RAM statiques de bit organisées en tant que 262 144 mots par 16 bits. C'est la technologie performante du CMOS des usingISSI fabriqués. Ce pro cess fortement fiables ajoutés aux techniques de conception innovatrices de circuit,

rendements performants et vices de la consommation De de puissance faible.

 

Quand le CE est HAUT (ne pas sélectionner), le dispositif assume un mode veille auquel la dissipation de puissance peut être réduite vers le bas avec des niveaux saisie de CMOS.

 

L'ajout de mémoire facile est fourni à l'aide de Chip Enable et la sortie permettent les entrées, le CE et l'OE. Le BAS actif écrivent permettent (NOUS) commande l'écriture et la lecture de la mémoire. Un octet de données permet l'octet supérieur (UB) et l'accès inférieur de l'octet (livre).

 

Les IS61WV25616Axx/Bxx et les IS64WV25616Bxx sont empaquetés dans le type II et 48 la goupille mini BGA (6mm x 8mm) de la goupille TSOP de la norme 44 de JEDEC.

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES de C.C (sur la plage de fonctionnement)

VDD = 3.3V + 5%

 

Symbole Paramètre Conditions d'essai Mn. Maximum. Unité
VOH Haute tension de sortie VDD = mn, IOH = – 4,0 mA 2,4 — V
Vol. BASSE tension de sortie VDD = mn, IOL = 8,0 mA — 0,4 V
VIH Haute tension d'entrée   2 VDD + 0,3 V
VIL BASSE tension d'entrée (1)   – 0,3 0,8 V
ILI Fuite d'entrée £ VDD DU £ VIN DE LA TERRE – 1 1 µA
L'OIT Fuite de sortie Le £ VDD, sorties du £ VOUT de la terre a désactivé – 1 1 µA

Note :

1. VIL (mn) = – C.C 0.3V ; VIL (mn) = – C.A. 2.0V (durée d'impulsion < 10 NS). Non 100% examiné.

VIH (maximum) = C.C VDD + 0.3V ; VIH (maximum) = C.A. VDD + 2.0V (durée d'impulsion < 10 NS). Non 100% examiné.

 

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES de C.C (sur la plage de fonctionnement)

VDD = 2.4V-3.6V

 

Symbole Paramètre Conditions d'essai Mn. Maximum. Unité
VOH Haute tension de sortie VDD = mn, IOH = – 1,0 mA 1,8 — V
Vol. BASSE tension de sortie VDD = mn, IOL = 1,0 mA — 0,4 V
VIH Haute tension d'entrée   2,0 VDD + 0,3 V
VIL BASSE tension d'entrée (1)   – 0,3 0,8 V
ILI Fuite d'entrée £ VDD DU £ VIN DE LA TERRE – 1 1 µA
L'OIT Fuite de sortie Le £ VDD, sorties du £ VOUT de la terre a désactivé – 1 1 µA

Note :

1. VIL (mn) = – C.C 0.3V ; VIL (mn) = – C.A. 2.0V (durée d'impulsion < 10 NS). Non 100% examiné.

VIH (maximum) = C.C VDD + 0.3V ; VIH (maximum) = C.A. VDD + 2.0V (durée d'impulsion < 10 NS). Non 100% examiné.

 

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES de C.C (sur la plage de fonctionnement)

VDD = 1.65V-2.2V

 

Symbole Paramètre Conditions d'essai VDD Mn. Maximum. Unité
VOH Haute tension de sortie IOH = -0,1 mA 1.65-2.2V 1,4 — V
Vol. BASSE tension de sortie IOL = 0,1 mA 1.65-2.2V — 0,2 V
VIH Haute tension d'entrée   1.65-2.2V 1,4 VDD + 0,2 V
VIL (1) BASSE tension d'entrée   1.65-2.2V – 0,2 0,4 V
ILI Fuite d'entrée £ VDD DU £ VIN DE LA TERRE – 1 1 µA
L'OIT Fuite de sortie Le £ VDD, sorties du £ VOUT de la terre a désactivé – 1 1 µA

Note :

1. VIL (mn) = – C.C 0.3V ; VIL (mn) = – C.A. 2.0V (durée d'impulsion < 10 NS). Non 100% examiné.

VIH (maximum) = C.C VDD + 0.3V ; VIH (maximum) = C.A. VDD + 2.0V (durée d'impulsion < 10 NS). Non 100% examiné.

CONDITIONS D'ESSAI À C.A.

 

Paramètre Unité Unité Unité
  (2.4V-3.6V) (3.3V +10%) (1.65V-2.2V)
InputPulseLevel 0Vto3V 0Vto3V 0Vto1.8V
Hausse d'entrée et temps d'automne 1V/ NS 1V/ NS 1V/ NS
AndReferenceLevel d'InputandOutputTiming (VRef) 1.5V 1.5V 0.9V
OutputLoad Voir les schémas 1 et 2 Voir les schémas 1 et 2 Voir les schémas 1 et 2
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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

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8 Années
Depuis 2000
Type d'entreprise :
Distributeur/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller
Produits principaux :
Puce de processeur d'unité centrale de traitement, Processeurs d'unité centrale de traitement d'ordinateur portable, Processeur d'ordinateur de bureau
Total annuel :
5000000-10000000
Nombre de salariés :
50~80
Niveau de certification :
Verified Supplier
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