Les spécifications
Numéro de type :
H9HCNNN4KMMLHR
MOQ :
1 paquet
Conditions de paiement :
T/T, Paypal, Western Union, engagement et d'autres
Capacité d'approvisionnement :
6000pcs par mois
Délai de livraison :
3-5 jours de travail
Détails d'emballage :
10cm x 10cm x 5cm
Numéro d'article :
H9HCNNN4KMMLHR
Paquet :
BGA200
Org. :
X16
Densité :
4 Go
Vol. : :
1.8V-1.1V-0.6V
Vitesse :
L/M
Définition

Mémoire Chip Storage de la puce de mémoire de DRACHME de puce de mémoire de DRACHME H9HCNNN4KMMLHR 4Gb LPDDR4 BGA200

 

 

Caractéristiques :

 VDD1 = 1.8V (1.7V à 1.95V) · VDD2 et VDDCA = 1.1V (1.06V à 1.17V) · VDDQ = 0.6V (0.57V à 0.65V) · VSSQ a terminé les signaux de DQ (DQ, DQS_t, DQS_c, DMI) · Simples débit l'architecture pour la commande et l'adresse ;   - tous les contrôle et adresse verrouillés au bord d'augmentation de l'horloge · Double architecture de débit pour le bus de données ;   - deux accès aux données par rhythme · Entrées d'horloge différentielle (CK_t, CK_c) · Stroboscope différentiel bidirectionnel de données (DQS_t, DQS_c)   - Transaction synchrone de données de source alignée sur le stroboscope différentiel bidirectionnel de données (DQS_t, DQS_c) · Le soutien de goupille de DMI de écrivent des données masquant et la fonctionnalité de DBIdc · RL programmable (latence lue) et plan horizontal (écrivez la latence) · Longueur d'éclat : 16 (défaut), 32 et en marche   - Le mode en marche est permis par MME · L'automobile régénèrent et l'individu régénèrent soutenu · Toute l'automobile de banque régénérer et dirigé par automobile de banque régénèrent soutenu · TCSR automatique (l'individu à température compensée régénèrent) · PASR (l'individu partiel de rangée régénèrent) par le masque de banque et le masque de segment · Calibrage du fond ZQ
Spécifications produit
Numéro de la pièce.

 Puce de mémoire de DRACHME de H9HCNNN4KMMLHR 4Gb, stockage de pastille à mémoire vive d'ordinateur de LPDDR4 BGA200

Repaire.

 

Org.

 

Vol.

 

Vitesse

 

Puissance

 

PAQUET

 

Statut de produit

 

H9HCNNN4KMMLHR 4Gb x16 1.8V-1.1V-0.6V L / M Puissance faible 200 Production en série
H9HCNNN4KUMLHR 4Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V L / M Puissance faible 200 Production en série
H9HCNNN8KUMLHR 8Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V L / M Puissance faible 200 Production en série
H9HCNNNBKMMLHR 16Gb x16 1.8V-1.1V-0.6V M / E Puissance faible 200 Production en série
H9HCNNNBKUMLHR 16Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V M / E Puissance faible 200 Production en série
H9HCNNNBPUMLHR 16Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V L / M Puissance faible 200 Production en série
H9HCNNNCPMMLHR 32Gb x16 1.8V-1.1V-0.6V M / E Puissance faible 200 Production en série
H9HCNNNCPUMLHR 32Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V M / E Puissance faible 200 Production en série

 

Vitesse
Numéro de la pièce Vitesse
L 3200Mbps
M 3733Mbps

 

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Puce de mémoire de DRACHME de H9HCNNN4KMMLHR 4Gb, stockage de pastille à mémoire vive d'ordinateur de LPDDR4 BGA200

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Puce de mémoire de DRACHME de H9HCNNN4KMMLHR 4Gb, stockage de pastille à mémoire vive d'ordinateur de LPDDR4 BGA200

Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

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8 Années
Depuis 2000
Type d'entreprise :
Distributeur/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller
Total annuel :
5000000-10000000
Nombre de salariés :
50~80
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
Exigence de soumission