Catégorie
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Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Transistors bipolaires simples pré-biasés
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Mfr
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un demi
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Série
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-
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Statut du produit
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Actif
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Type de transistor
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NPN - Pré-participation
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Courant - collecteur (Ic) (maximum)
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100 mA
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Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max)
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50 V
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Résistance - Base (R1)
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40,7 kOhms
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Résistance - Base de l'émetteur (R2)
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47 kOhms
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Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce
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80 @ 5mA, 10V
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Vce saturation (max) @ Ib, Ic
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250 mV @ 300 μA, 10 mA
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Courant - Coupe du collecteur (maximum)
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500 nA
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Puissance maximale
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246 mW
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Type de montage
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Monture de surface
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Emballage / boîtier
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
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Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur
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Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respectent les dispositions de la présente directive.
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