Les spécifications
Numéro de type :
JY11M
MOQ :
1 jeu
Détails d'emballage :
Carton du PE bag+
Point d'origine :
La Chine
Délai de livraison :
5-10 jours
Conditions de paiement :
T/T, L/C, Paypal
Capacité d'approvisionnement :
1000sets/day
Tension de Drain-source :
Pour les appareils électroniques
Tension de Porte-source :
±20V
Dissipation de puissance maximum :
210W
Courant pulsé de drain :
395A
Haute tension :
- Oui, oui.
récupération inverse du corps :
- Oui, oui.
Définition

 

Transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration de la Manche de JY11M N

 

 

DESCRIPTION GÉNÉRALE


Le JY11M utilise les dernières techniques de traitement de fossé pour réaliser la cellule élevée
la densité et réduit la sur-résistance avec l'estimation répétitive élevée d'avalanche. Ceux-ci
les caractéristiques combinent pour faire à cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour
utilisation dans l'application de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.


CARACTÉRISTIQUES


● 100V/110A, LE RDS (DESSUS) =6.5MΩ@VGS=10V
Commutation rapide de ● et récupération inverse de corps
Tension et courant d'avalanche entièrement caractérisés de ●
Excellent paquet de ● pour la bonne dissipation thermique


APPLICATIONS
Application de commutation de ●
Circuits dur commutés et à haute fréquence de ●
Gestion de puissance de ● pour des systèmes d'inverseur

 

Capacités absolues (Tc=25ºC sauf indication contraire)

Symbole Paramètre Limite Unité
VDS Tension de Drain-source 100 V
VGS Tension de Porte-source ± 20 V
Identification Drain continu
Actuel
Tc=25ºC 110 A
Tc=100ºC 82
IDM Courant pulsé de drain 395 A
Palladium Dissipation de puissance maximum 210 W
TJ TSTG Jonction et température de stockage fonctionnantes
Gamme
-55 à +175 ºC
RθJC Résistance-jonction thermique au cas 0,65 ºC/W
RθJA Résistance-jonction thermique à ambiant 62

 


Caractéristiques électriques (Ta=25ºC sauf indication contraire)

Symbole Paramètre Conditions Minute Type Maximum Unité
Caractéristiques statiques
BVDSS Drain-source
Tension claque
VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA 100 V
IDSS Tension nulle de porte
Vidangez le courant
VDS =100V, VGS =0V 1 uA
IGSS Fuite de Porte-corps
Actuel
=± 20V, VDS =0V de VGS ± 100 Na
VGS (Th) Seuil de porte
Tension
VDS = VGS, IDENTIFICATION =250UA 2,0 3,0 4,0 V
LE RDS (DESSUS) Drain-source
résistance de Sur-état
VGS =10V, IDENTIFICATION =40A 6,5
gFS En avant
Transconductance
VDS =50V, IDENTIFICATION =40A 100 S

JUYI N Channel High Voltage BLDC Motor Driver MOSFET Application de commutation de puissance de 210 W
 



MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY11M

JUYI N Channel High Voltage BLDC Motor Driver MOSFET Application de commutation de puissance de 210 W JY11M.pdf

 

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Conditions de paiement :
T/T, L/C, Paypal
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JUYI N Channel High Voltage BLDC Motor Driver MOSFET Application de commutation de puissance de 210 W
JUYI N Channel High Voltage BLDC Motor Driver MOSFET Application de commutation de puissance de 210 W

Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd

Verified Supplier
7 Années
shanghai, shanghai
Depuis 2010
Type d'entreprise :
Fabricant
Total annuel :
5000000-10000000
Nombre de salariés :
100~200
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
Exigence de soumission