Les spécifications
Numéro de type :
PG-TO 220FP
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
100 / Négociable
Conditions de paiement :
L/C, D/P, T/T,
Capacité d'approvisionnement :
10000/Piece/Weekly
Délai de livraison :
7 ~ 10 jours ouvrables
Détails d'emballage :
Carton standard
Affaire :
TO220FP
Électrode :
3
Polarité :
Comme marqué
Position de montage :
tout
Définition

 

tube de MOS du transistor de puissance de 800V CoolMOSª P7 IPA80R1K4P7

 

 

 

Caractéristiques
• FOM classe meilleure le RDS (dessus) * Eoss ; Qg réduit, Ciss, et Coss
• DPAK classe meilleure le RDS (dessus)
• Th classe meilleure de V (GS) de 3V et plus petite variation de Th de V (GS) de ±0.5V
• Protection intégrée d'ESD de diode Zener
• Entièrement - CRNA qualifié. JEDEC pour des applications industrielles
• Dossier entièrement optimisé

 

Avantages
• représentation classe meilleure
• Permettre des conceptions de densité de puissance plus élevée, l'épargne de BOM et inférieur
coûts d'assemblage
• Facile à conduire et mettre en parallèle
• Améliorez le rendement de production en réduisant l'ESD a rapporté des échecs
• Moins de questions de production et de retours réduits de champ
• Facile de choisir de bonnes pièces pour régler avec précision des conceptions

 

Applications potentielles
Recommandé pour des topologies de changement dures et douces de retour rapide pour la LED
Chargeurs de puissance faible s'allumante et et adaptateurs, audio, puissance AUX. et
Puissance industrielle. En outre approprié à l'étape de PFC dans des applications du consommateur
et solaire.

 

 

Paramètres de jeu clé et de paquet

 

Paramètre Valeur Unité
VDS @ Tj=25°C 800 V
Le RDS (dessus), maximum 1,4 Ω
Qg.typ 10 OR
Identification 4
Eoss@500V 0,9 μJ
VGS (Th), type 3 V
Classe d'ESD (HBM) 2 /

 

Type/code de commande Paquet Inscription Liens relatifs
IPA80R1K4P7 PG-TO 220 FullPAK 80R1K4P7 voir l'annexe A

 

 

transistor à effet de champ de tube de MOS du transistor de puissance de 800V CoolMOS P7 IPA80R1K4P7

transistor à effet de champ de tube de MOS du transistor de puissance de 800V CoolMOS P7 IPA80R1K4P7

LES DIMENSIONS N'INCLUENT PAS L'ÉCLAIR DE MOULE, LES SAILLIES OU LES BAVURES DE PORTE.

 

 

FAQ


Q : Queest-ce que je peux faire si j'obtenais un FUSIBLE cassé inc. de la forme A-TEAM de produit ?
: D'abord du tout veuillez nous dire dès que possible après que nous t'envoyions un neuf immédiatement mais svp envoyez-le produit cassé que nous .you ne doivent pas s'inquiéter de la charge de chariot nous payerons celui.
Q ; Sommes-nous un importateur ou un fabricant ?
; Nous sommes un fabricant
Q : Pourquoi vous devez nous choisir
: Assurance de haute qualité. La plupart de prix concurrentiel et d'expédition rapide


Dites-svp moi :
De quelles spécifications produit avez-vous besoin ? quand vous demandez une citation. Je te donnerai la plupart de prix concurrentiel par comme vos conditions. Et nous avons beaucoup de types qu'il faut que vous choisissiez.


P.S. : Si vous ne pouvez trouver aucun produits pour répondre à vos exigences. accueillez pour nous envoyer les dessins de détails de sorte que nous puissions nous fournir notre service professionnel et meilleur te.

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transistor à effet de champ de tube de MOS du transistor de puissance de 800V CoolMOS P7 IPA80R1K4P7

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Point d'origine :
La Chine
MOQ :
100 / Négociable
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L/C, D/P, T/T,
Capacité d'approvisionnement :
10000/Piece/Weekly
Délai de livraison :
7 ~ 10 jours ouvrables
Fournisseur de contact
transistor à effet de champ de tube de MOS du transistor de puissance de 800V CoolMOS P7 IPA80R1K4P7

JULUN (H.K)CO.,LTD (DONGGUAN JULUN ELECTRONICS CO.,LTD)

Verified Supplier
8 Années
guangdong, dongguan
Depuis 2009
Type d'entreprise :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler
Total annuel :
5900000-7000000
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
Exigence de soumission