IPD70R1K4CE, tube de MOS de transistor de puissance de la CE du FET 700V CoolMOS d'IPS70R1K4CE
Caractéristiques
• Extrêmement - basses pertes dues à bas FOM même Rdson*Qg et Eoss
• Rugosité très élevée de commutation
• Facile à utiliser/commande
• électrodéposition sans Pb, composé libre de moule d'halogène
• Qualifié pour des applications de catégorie standard
Applications
Adaptateur, affichage à cristaux liquides et PDP TV et éclairage d'intérieur
Paramètre | Valeur | Unité |
VDS @ Tj, maximum | 750 | V |
Le RDS (dessus), maximum | 1400 | mΩ |
Qg.typ | 10,5 | OR |
Id.typ | 5,4 | |
Identification, impulsion | 8,3 | |
Eoss@400V | 1,15 | μJ |
Type/code de commande | Paquet | Inscription | Liens relatifs |
IPD70R1K4CE | PG-TO 252 | 70S1K4CE | voir l'annexe A |
IPS70R1K4CE | PG-TO 251 |
Q : Queest-ce que je peux faire si j'obtenais un FUSIBLE cassé inc. de la forme A-TEAM de produit ?
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Q ; Sommes-nous un importateur ou un fabricant ?
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